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1. (WO2017139017) GUIDES D'ONDE PLANS DONT LES ÉLÉMENTS DE SUPPORT ET/OU DE REFROIDISSEMENT SONT AMÉLIORÉS POUR SYSTÈMES LASER À HAUTE PUISSANCE
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N° de publication : WO/2017/139017 N° de la demande internationale : PCT/US2016/065988
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 09.12.2016
CIB :
H01S 3/063 (2006.01) ,H01S 3/042 (2006.01) ,H01S 3/06 (2006.01) ,H01S 3/23 (2006.01) ,H01S 3/04 (2006.01) ,H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 3/13 (2006.01) ,H01S 3/131 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
05
Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
06
Structure ou forme du milieu actif
063
Lasers à guide d'ondes, p.ex. amplificateurs laser
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
02
Détails de structure
04
Dispositions pour le refroidissement
042
pour des lasers à l'état solide
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
05
Structure ou forme de résonateurs; Accommodation de milieu actif à l'intérieur de ces résonateurs; Forme du milieu actif
06
Structure ou forme du milieu actif
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
23
Agencement de plusieurs lasers non prévu dans les groupes H01S3/02-H01S3/14110
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
02
Détails de structure
04
Dispositions pour le refroidissement
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
5
Lasers à semi-conducteurs
02
Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
022
Supports; Boîtiers
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
10
Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
13
Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p.ex. fréquence, amplitude
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
S
DISPOSITIFS UTILISANT L'ÉMISSION STIMULÉE
3
Lasers, c. à d. dispositifs pour la production, l'amplification, la modulation, la démodulation ou le changement de fréquence utilisant l'émission stimulée d'ondes infrarouges, visibles ou ultraviolettes
10
Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p.ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
13
Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p.ex. fréquence, amplitude
131
par commande du milieu actif, p.ex. par commande des procédés ou des appareils pour l'excitation
Déposants :
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
Inventeurs :
MCGANTY, Stephen H.; US
FILGAS, David M.; US
KOONTZ, Christopher R.; US
Mandataire :
DOYLE, David M.; US
MUNCK, William A.; US
Données relatives à la priorité :
15/041,90911.02.2016US
Titre (EN) PLANAR WAVEGUIDES WITH ENHANCED SUPPORT AND/OR COOLING FEATURES FOR HIGH-POWER LASER SYSTEMS
(FR) GUIDES D'ONDE PLANS DONT LES ÉLÉMENTS DE SUPPORT ET/OU DE REFROIDISSEMENT SONT AMÉLIORÉS POUR SYSTÈMES LASER À HAUTE PUISSANCE
Abrégé :
(EN) This disclosure provides planar waveguides (200, 500, 600, 702, 802, 902, 1002, 1202) with enhanced support and/or cooling. One or more endcaps (506a-506b, 804, 904, 1004a-1004b) could be disposed between coating/cladding layers (204a-204b, 504a-504b, 604a-604b) at one or more ends of a core region (202, 502, 602), where the core region is doped with at least one active ion species and each endcap is not doped with any active ion species that creates substantial absorption at pump and signal wavelengths. A core region (202, 502, 602) could include at least one crystal or crystalline material, and at least one cladding layer (204a-204b, 504a-504b, 604a-604b) could include at least one glass. Different types of coolers (308, 704, 708, 808, 908, 910, 1008a-1008b) could be disposed on or adjacent to different coating/cladding layers. Side claddings (806, 906) could be disposed on opposite sides of a planar waveguide, where the opposite sides represent longer sides of the waveguide. Endcaps (1004a-1004b) and one or more coolers (1008a-1008b) could be sealed to a housing (1006), and coolant can flow through a substantially linear passageway along a length of the waveguide. One side of a planar waveguide could be uncooled.
(FR) La présente invention concerne des guides d'onde plans (200, 500, 600, 702, 802, 902, 1002, 1202) dont le support et/ou le refroidissement sont améliorés. Un ou plusieurs embouts (506a et 506b, 804, 904, 1004a et 1004b) peuvent être disposés entre des couches de revêtement/placage (204a et 204b, 504a et 504b, 604a et 604b) à une ou plusieurs extrémités d'une région centrale (202, 502, 602), la région centrale étant dopée avec au moins une espèce ionique active et chaque embout n'est pas dopé avec une espèce ionique active qui crée une absorption importante aux longueurs d'onde de pompage et de signal. Un région centrale (202, 502, 602) peut comprendre au moins un matériau cristallin, et au moins une couche de placage (204a et 204b, 504a et 504b, 604a et 604b) peut comprendre au moins un verre. Différents types de refroidisseurs (308, 704, 708, 808, 908, 910, 1008a et 1008b) peuvent être disposés sur ou à proximité de différentes couches de revêtement/placage. Des placages latéraux (806, 906) peuvent être disposés sur les côtés opposés d'un guide d'onde plan, les côtés opposés représentant les plus longs côtés du guide d'onde. Des capuchons (1004a et 1004b) et un ou plusieurs refroidisseurs (1008a et 1008b) peuvent être scellés à un boîtier (1006), et un fluide de refroidissement peut s'écouler à travers un passage sensiblement linéaire le long d'une longueur du guide d'onde. Un côté d'un guide d'onde plan peut ne pas être refroidi.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)