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1. (WO2017138951) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE AYANT UN COMPORTEMENT VOLATILE ET NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/138951 N° de la demande internationale : PCT/US2016/017693
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 12.02.2016
CIB :
G11C 11/54 (2006.01) ,G11C 15/00 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
54
utilisant des éléments simulateurs de cellules biologiques, p.ex. neurone
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
15
Mémoires numériques dans lesquelles l'information, comportant une ou plusieurs parties caractéristiques, est écrite dans la mémoire et dans lesquelles l'information est lue au moyen de la recherche de l'une ou plusieurs de ces parties caractéristiques, c. à d. mémoires associatives ou mémoires adressables par leur contenu
Déposants :
HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP [US/US]; 11445 Compaq Center Drive West Houston, Texas 77070, US
Inventeurs :
LI, Zhiyong; US
ZHANG, Lu; US
ZHANG, Minxian; US
Mandataire :
WARD, Aaron S.; US
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMORY DEVICES WITH VOLATILE AND NON-VOLATILE BEHAVIOR
(FR) DISPOSITIFS DE MÉMOIRE AYANT UN COMPORTEMENT VOLATILE ET NON VOLATILE
Abrégé :
(EN) An example device in accordance with an aspect of the present disclosure includes an active oxide layer to form and dissipate a conductive bridge. The conductive bridge is to dissipate spontaneously within a relaxation time to enable the memory device to self-refresh according to volatile behavior in response to the input voltage being below a threshold corresponding to disregarding sneak current and noise of a crossbar array in which the memory device is to operate. The conductive bridge is to persist beyond the relaxation time to enable the memory device to retain programming for neuromorphic computing training according to non-volatile behavior of the memory device in response to the input voltage not being below the threshold.
(FR) Selon un aspect, la présente invention concerne un dispositif donné à titre d'exemple comprenant une couche d'oxyde actif pour former et dissiper un pont conducteur. Le pont conducteur doit se dissiper spontanément dans un temps de relaxation pour permettre au dispositif de mémoire de se régénérer automatiquement en fonction du comportement volatile en réponse à la tension électrique d'entrée étant inférieure à un seuil correspondant sans tenir compte du courant de fuite et le bruit d'un réseau crossbar dans lequel le dispositif de mémoire doit fonctionner. Le pont conducteur doit perdurer au-delà du temps de relaxation pour permettre au dispositif de mémoire de retenir la programmation d'apprentissage informatique neuromorphique selon le comportement non volatile du dispositif de mémoire en réponse à la tension électrique d'entrée n'étant pas inférieure au seuil.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)