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1. (WO2017138707) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE DE GRANDE PUISSANCE ET MODULE D’ÉMISSION DE LUMIÈRE AYANT CELLE-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/138707    N° de la demande internationale :    PCT/KR2017/000810
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 24.01.2017
CIB :
H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), H01L 33/64 (2010.01)
Déposants : SEOUL VIOSYS CO., LTD. [KR/KR]; 65-16, Sandan-ro 163beon-gil, Danwon-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15429 (KR)
Inventeurs : JANG, Jong Min; (KR).
BAE, Seon Min; (KR).
LIM, Jae Hee; (KR).
KIM, Chang Yeon; (KR).
KIM, Chae Hon; (KR)
Mandataire : AIP PATENT & LAW FIRM; 30-1, Teheran-ro 14-gil, Gangnam-gu Seoul 06239 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2016-0015753 11.02.2016 KR
Titre (EN) HIGH-POWER LIGHT-EMITTING DIODE AND LIGHT-EMITTING MODULE HAVING SAME
(FR) DIODE ÉLECTROLUMINESCENTE DE GRANDE PUISSANCE ET MODULE D’ÉMISSION DE LUMIÈRE AYANT CELLE-CI
(KO) 고출력 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 모듈
Abrégé : front page image
(EN)According to embodiments of the present invention, provided is a light-emitting diode comprising: a gallium nitride substrate; a first conductive semiconductor layer disposed on the gallium nitride substrate; a mesa including a second conductive semiconductor layer disposed on the first conductive semiconductor layer and an active layer interposed between the second conductive semiconductor layer and the first conductive semiconductor layer; a first contact layer including an outer contact part coming into contact with the first conductive semiconductor layer near an edge of the gallium nitride substrate along the circumference of the mesa and an inner contact part coming into contact with the first conductive semiconductor layer within a region encompassed by the outer contact part; a second contact layer disposed on the mesa so as to come into contact with the second conductive semiconductor layer; an upper insulation layer having a first opening part overlapping with the first contact layer and a second opening part overlapping with the second contact layer; a first electrode pad electrically connected to the first contact layer through the first opening part; and a second electrode pad electrically connected to the second contact layer through the second opening part, wherein the light-emitting diode can be driven at a current density of 150 A/Cm2 or more and has a maximum bonding temperature of 180°C or more.
(FR)Conformément à des modes de réalisation, la présente invention concerne une diode électroluminescente qui comprend : un substrat à base de nitrure de gallium ; une première couche à semi-conducteurs conductrice, disposée sur le substrat à base de nitrure de gallium ; une structure mesa comprenant une seconde couche à semi-conducteurs conductrice disposée sur la première couche à semi-conducteurs conductrice et une couche active interposée entre la seconde couche à semi-conducteurs conductrice et la première couche à semi-conducteurs conductrice ; une première couche de contact comprenant une partie de contact externe venant en contact avec la première couche à semi-conducteurs conductrice près d’un bord du substrat à base de nitrure de gallium le long de la circonférence de la structure mesa et une partie de contact interne venant en contact avec la première couche à semi-conducteurs conductrice dans une région englobée par la partie de contact externe ; une seconde couche de contact disposée sur la structure mesa de façon à venir en contact avec la seconde couche à semi-conducteurs conductrice ; une couche d’isolation supérieure ayant une première partie d’ouverture se chevauchant avec la première couche de contact et une seconde partie d’ouverture se chevauchant avec la seconde couche de contact ; une première pastille d’électrode connectée électriquement à la première couche de contact par l’intermédiaire de la première partie d’ouverture ; une seconde pastille d’électrode connectée électriquement à la seconde couche de contact par l’intermédiaire de la seconde partie d’ouverture, la diode électroluminescente pouvant être excitée à une densité de courant de 150 A/Cm2 ou plus et ayant une température de liaison maximale de 180°C ou plus.
(KO)본 발명의 실시예들에 따르면, 질화갈륨 기판; 질화갈륨 기판 상에 배치된 제1 도전형 반도체층; 제1 도전형 반도체층 상에 배치된 제2 도전형 반도체층 및 제2 도전형 반도체층과 제1 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층을 포함하는 메사; 메사 둘레를 따라 질화갈륨 기판의 가장자리 근처에서 제1 도전형 반도체층에 콘택하는 외부 접촉부 및 외부 접촉부로 둘러싸인 영역 내에서 제1 도전형 반도체층에 콘택하는 내부 접촉부를 포함하는 제1 콘택층; 메사 상에 배치되어 제2 도전형 반도체층에 콘택하는 제2 콘택층; 제1 콘택층에 중첩하는 제1 개구부 및 제2 콘택층에 중첩하는 제2 개구부를 가지는 상부 절연층; 제1 개구부를 통해 제1 콘택층에 전기적으로 접속하는 제1 전극 패드; 및 제2 개구부를 통해 제2 콘택층에 전기적으로 접속하는 제2 전극 패드를 포함하고, 전류 밀도 150A/㎠ 이상에서 구동 가능하며, 최대 접합 온도가 180℃ 이상인 발광 다이오드가 제공된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)