Certains contenus de cette application ne sont pas disponibles pour le moment.
Si cette situation persiste, veuillez nous contacter àObservations et contact
1. (WO2017138628) CIRCUIT D'AJUSTEMENT DE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/138628 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/004877
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 10.02.2017
CIB :
G05F 1/56 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
G PHYSIQUE
05
COMMANDE; RÉGULATION
F
SYSTÈMES DE RÉGULATION DES VARIABLES ÉLECTRIQUES OU MAGNÉTIQUES
1
Systèmes automatiques dans lesquels les écarts d'une grandeur électrique par rapport à une ou plusieurs valeurs prédéterminées sont détectés à la sortie et réintroduits dans un dispositif intérieur au système pour ramener la grandeur détectée à sa valeur ou à ses valeurs prédéterminées, c. à d. systèmes rétroactifs
10
Régulation de la tension ou de l'intensité
46
là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
56
utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
772
Transistors à effet de champ
78
l'effet de champ étant produit par une porte isolée
Déposants :
国立大学法人東北大学 TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区片平二丁目1番1号 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577, JP
Inventeurs :
田野井 聡 TANOI, Satoru; JP
遠藤 哲郎 ENDOH, Tetsuo; JP
Mandataire :
特許業務法人第一国際特許事務所 PATENT CORPORATE BODY DAI-ICHI KOKUSAI TOKKYO JIMUSHO; 東京都千代田区岩本町三丁目5番12号 5-12, Iwamotocho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010032, JP
Données relatives à la priorité :
2016-02528112.02.2016JP
Titre (EN) VOLTAGE ADJUSTMENT CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'AJUSTEMENT DE TENSION
(JA) 電圧調整回路
Abrégé :
(EN) With improved integration levels of semiconductor integrated circuits, and advances in lower voltage for power supply voltage in order to reduce power consumption, there is a tendency for there to be a large effect even with small voltage errors. Therefore, in order to stabilize output voltage promptly in a prescribed time, with higher resolution, higher precision, and superior linearity using a voltage adjustment circuit, this voltage adjustment circuit is provided with a current control unit (Amp) that uses reference voltage as an input, a first resistor (RL), and a variable resistor (TR1) connected between the output of the current control unit and the first resistor. The variable resistor is configured from a plurality of resistance selection circuits (SEL1, SEL2, …). Each of the resistance selection circuits is respectively provided with: a second resistor (Rs1, Rs2, …) connected to the output of the current control unit; a first switch (S1, S2, …) connected between the first resistor and the second resistor; and a second switch (S1f, S2f, …) connected between the second resistor and the input of the current control unit, the second switch applying voltage feedback. The first switch and the second switch are linked for turning on and off.
(FR) Avec des niveaux d'intégration améliorés de circuits intégrés à semi-conducteurs, et des avancées à une tension plus basse pour tension d'alimentation afin de réduire la consommation d'énergie, un effet important a tendance à se produire même avec de petites erreurs de tension. Par conséquent, afin de stabiliser la tension de sortie rapidement dans un temps prescrit, avec une résolution plus élevée, une plus grande précision, et une linéarité supérieure à l'aide d'un circuit de réglage de tension, le circuit de réglage de tension selon la présente invention est pourvu d'une unité de commande de courant (Amp) qui utilise la tension de référence en tant qu'entrée, une première résistance (RL), et une résistance variable (TR1) connectée entre la sortie de l'unité de commande de courant et la première résistance. La résistance variable est configurée à partir d'une pluralité de circuits de sélection de résistance (SEL1, SEL2, …). Chacun des circuits de sélection de résistance comporte respectivement : une seconde résistance (Rs1, Rs2, …) connectée à la sortie de l'unité de commande de courant ; un premier commutateur (S1, S2, …) connecté entre la première résistance et la seconde résistance ; et un second commutateur (S1f, S2f, …) connecté entre la seconde résistance et l'entrée de l'unité de commande de courant, le second commutateur appliquant une rétroaction de tension. Le premier commutateur et le second commutateur sont reliés pour allumer et éteindre.
(JA) 半導体集積回路の集積度向上や消費電力低減のために電源電圧の低圧化が進展し、僅かな電圧の誤差でも大きな影響が出る傾向にあるため、電圧調整回路により、より高分解能かつ高精度で、線形性に優れ所定の時間で速やかに出力電圧を安定させるために、電圧調整回路は、基準電圧を入力とする電流制御部(Amp)と、第1の抵抗(R)と、電流制御部の出力および第1の抵抗の間に接続する可変抵抗部(TR1)とを備え、可変抵抗部は、複数の抵抗選択回路(SEL1、SEL2、…)から構成され、抵抗選択回路それぞれは、電流制御部の出力に接続する第2の抵抗(Rs1、Rs2、…)と、第1の抵抗および第2の抵抗の間に接続する第1のスイッチ部(S1、S2、…)と、第2の抵抗および電流制御部の入力の間に接続して電圧帰還をかける第2のスイッチ部(S1f、S2f、…)とを備え、第1のスイッチ部と第2のスイッチ部とを連動してオンオフする。
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)