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1. (WO2017138499) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
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N° de publication : WO/2017/138499 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/004280
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 06.02.2017
CIB :
H01L 21/02 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
Déposants :
株式会社テンシックス X-VI INCORPORATED [JP/JP]; 愛知県長久手市郷前2276番地 2276, Goumae, Nagakute-shi, Aichi 4801304, JP
Inventeurs :
加藤 光治 KATO Mitsuharu; JP
Mandataire :
小島 清路 KOJIMA Seiji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02222408.02.2016JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT À SEMI-CONDUCTEUR, ET SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体素子の製造方法及び半導体基板
Abrégé :
(EN) Provided are: a method for manufacturing a semiconductor element by which a thin, high-withstand-voltage semiconductor element is manufactured using a carbon substrate; and a semiconductor substrate. This method for manufacturing a semiconductor element is provided with: a first film-formation step for forming a film of a polycrystalline SiC layer 3 on at least one surface of a carbon substrate 1; a hydrogen layer forming step for forming a hydrogen implantation layer 25 on a single-crystal substrate 2 comprising a first semiconductor material; a bonding step for bonding the single-crystal substrate 2 and the surface of the polycrystalline SiC layer 3 formed on the carbon substrate 1; a separation step for leaving a first single crystal layer 21 on the polycrystalline SiC layer 3 by separating the single-crystal substrate 2 using the hydrogen implantation layer 25; a second film-formation step for obtaining a multi-layer substrate in which a second single crystal layer 4 comprising a second semiconductor material is formed by film-formation on the first single crystal layer 21; and an element formation step for forming a semiconductor element on the second single crystal layer 4.
(FR) L'invention concerne : un procédé de fabrication d'un élément à semi-conducteur selon lequel un élément à semi-conducteur mince à haute tension de tenue est fabriqué à l'aide d'un substrat en carbone ; et un substrat semi-conducteur. Ce procédé de fabrication d'un élément à semi-conducteur comprend : une première étape de formation de film consistant à former un film d'une couche de SiC polycristallin (3) sur au moins une surface d'un substrat en carbone (1) ; une étape de formation de couche d'hydrogène consistant à former une couche d'implantation d'hydrogène (25) sur un substrat monocristallin (2) comprenant un premier matériau semi-conducteur ; une étape de collage consistant à coller le substrat monocristallin (2) et la surface de la couche de SiC polycristallin (3) formée sur le substrat en carbone (1) ; une étape de séparation consistant à laisser une première couche monocristalline (21) sur la couche de SiC polycristallin (3) par séparation du substrat monocristallin (2) à l'aide de la couche d'implantation d'hydrogène (25) ; une seconde étape de formation de film consistant à obtenir un substrat multicouche dans lequel une seconde couche monocristalline (4) comprenant un second matériau semi-conducteur est formée par formation de film sur la première couche monocristalline (21) ; et une étape de formation d'élément consistant à former un élément à semi-conducteur sur la seconde couche monocristalline (4).
(JA) カーボン基板を使用することにより厚さが薄く高耐圧の半導体素子を製造する半導体素子の製造方法、及び半導体基板を提供する。この半導体素子の製造方法は、カーボン基板1の少なくとも1面上に多結晶SiC層3を成膜する第1成膜工程と、第1の半導体材料からなる単結晶基板2に水素注入層25を形成する水素層形成工程と、カーボン基板1上に形成された多結晶SiC層3の表面と単結晶基板2とを接合する接合工程と、単結晶基板2を水素注入層25で分離することにより第1の単結晶層21を多結晶SiC層3上に残す分離工程と、第1の単結晶層21上に第2の半導体材料からなる第2の単結晶層4を成膜した複層基板を得る第2成膜工程と、第2の単結晶層4に半導体素子を形成する素子形成工程と、を備える。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)