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1. (WO2017138405) DIPLEXEUR
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N° de publication :    WO/2017/138405    N° de la demande internationale :    PCT/JP2017/003361
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 31.01.2017
CIB :
H03H 7/46 (2006.01), H03H 7/09 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : MIZOGUCHI, Naoki; (JP)
Mandataire : KAWAMOTO, Takashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-023583 10.02.2016 JP
Titre (EN) DIPLEXER
(FR) DIPLEXEUR
(JA) ダイプレクサ
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a diplexer in which a first filter and a second filter are definitively isolated. Thus, a diplexer equipped with a multi-layered substrate, and also equipped with a first terminal formed on the multi-layered substrate, a second terminal formed thereon, a third terminal formed thereon, and ground terminals formed thereon, wherein: a first filter (low-pass filter LPF) is configured between the first terminal and the second terminal; a second filter (high-pass filter HPF) is configured between the first terminal and the third terminal; a ground electrode for the first filter, a ground electrode for the second filter, and a shielding ground electrode for shielding the interval between the first and second filters are provided independently from one another between the layers of the multi-layered substrate; and the ground terminals are provided independently from one another, and include a first filter ground terminal connected to the first filter ground electrode, a second filter ground terminal connected to the second filter ground electrode, and a shielding ground terminal connected to the shielding ground electrode.
(FR)L'invention concerne un diplexeur dans lequel un premier filtre et un deuxième filtre sont définitivement isolés. L'invention concerne donc un diplexeur équipé d'un substrat multicouche, et également équipé d'une première borne formée sur le substrat multicouche, d'une deuxième borne formée sur ledit substrat, d'une troisième borne formée sur ledit substrat, et de bornes de masse formées sur ledit substrat, dans lequel : un premier filtre (filtre passe-bas (LPF)) est configuré entre la première borne et la deuxième borne; un deuxième filtre (filtre passe-haut (HPF)) est configuré entre la première borne et la troisième borne; une électrode de masse pour le premier filtre, une électrode de masse pour le deuxième filtre, et une électrode de masse de blindage pour protéger l'intervalle entre les premier et deuxième filtres sont disposées indépendamment l'une de l'autre entre les couches du substrat multicouche; et les bornes de masse sont disposées indépendamment l'une de l'autre, et comprennent une borne de masse de premier filtre connectée à l'électrode de masse de premier filtre, une borne de masse de deuxième filtre connectée à l'électrode de masse de deuxième filtre, et une borne de masse de blindage connectée à l'électrode de masse de blindage.
(JA)第1フィルタと、第2フィルタとが確実にアイソレーションされたダイプレクサを提供する。 多層基板と、多層基板に形成された第1端子、第2端子、第3端子、グランド端子と、を備え、第1端子と第2端子との間に第1フィルタ(ローパスフィルタLPF)が構成され、第1端子と第3端子との間に第2フィルタ(ハイパスフィルタHPF)が構成され、多層基板の層間に、相互に独立した、第1フィルタ用グランド電極と、第2フィルタ用グランド電極と、第1のフィルタと第2のフィルタとの間をシールドするためのシールド用グランド電極とを備え、グランド端子が、相互に独立した、第1フィルタ用グランド電極に接続された第1フィルタ用グランド端子と、第2フィルタ用グランド電極に接続された第2フィルタ用グランド端子と、シールド用グランド電極に接続されたシールド用グランド端子となからなるものとした。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)