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1. (WO2017138383) SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE CARBURE DE SILICIUM

Pub. No.:    WO/2017/138383    International Application No.:    PCT/JP2017/003139
Publication Date: Fri Aug 18 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Tue Jan 31 00:59:59 CET 2017
IPC: C30B 29/36
G01N 23/207
Applicants: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
住友電気工業株式会社
Inventors: OKITA, Kyoko
沖田 恭子
SAKURADA, Takashi
櫻田 隆
TAKASUKA, Eiryo
高須賀 英良
UETA, Shunsaku
上田 俊策
SASAKI, Sho
佐々木 将
KAJI, Naoki
梶 直樹
MISHIMA, Hidehiko
三島 英彦
EGUCHI, Hirokazu
江口 寛航
Title: SUBSTRAT MONOCRISTALLIN DE CARBURE DE SILICIUM
Abstract:
Selon la présente invention, un rapport de l'intensité maximale d'un premier profil d'intensité 1 est de 1500 ou plus lorsqu'un détecteur 6 est agencé dans une direction [11-20], une première région de mesure 31 qui comprend un centre O d'un plan principal 11 est irradiée avec un rayon X depuis une direction à ±15° par rapport à [-1-120], et un rayon X diffracté depuis la première région de mesure 31 est mesuré par le détecteur. Un rapport de l'intensité maximale d'un deuxième profil d'intensité 2 est de 1500 ou plus lorsque le détecteur 6 est agencé dans une direction parallèle à une direction [-1100], la première région de mesure 31 est irradiée avec un rayon X depuis une direction à ±6° par rapport à une direction [1-100], et un rayon X diffracté depuis la première région de mesure 31 est mesuré par le détecteur 6. La valeur absolue d'une différence entre une valeur maximale EH1 et une valeur minimale EL1 d'énergie qui indique la valeur maximale du premier profil d'intensité 1 est de 0,06 keV ou moins.