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1. (WO2017138370) ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE

Pub. No.:    WO/2017/138370    International Application No.:    PCT/JP2017/002883
Publication Date: Fri Aug 18 01:59:59 CEST 2017 International Filing Date: Sat Jan 28 00:59:59 CET 2017
IPC: H01L 27/14
G02B 5/20
H01L 27/146
H04N 9/07
Applicants: SONY CORPORATION
ソニー株式会社
Inventors: HIGASHITANI Ami
東谷 阿美
OHBA Nobuyuki
大場 宣幸
SAYAMA Yukihiro
狭山 征博
Title: ÉLÉMENT D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEUR, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
Abstract:
La présente invention se rapporte : à un élément d'imagerie à semi-conducteurs au moyen duquel une plage dynamique élargie peut être réalisée, en conférant une différence de sensibilité de réception de lumière entre les pixels de faible sensibilité et des pixels de forte sensibilité, sans modifier les caractéristiques spectrales ; à un procédé permettant de fabriquer l'élément d'imagerie à semi-conducteurs ; et à un dispositif électronique. L'élément d'imagerie à semi-conducteurs est pourvu d'une partie de réseau de pixels sur laquelle deux types de pixels sont disposés : des pixels de forte sensibilité et des pixels de faible sensibilité ayant des sensibilités de réception de lumière différentes. Les pixels de faible sensibilité sont pourvus d'un filtre gris au-dessus du filtre coloré, ou en dessous de ce dernier, ledit filtre de gris réduisant la transmittance de la lumière dans la plage de lumière visible par un rapport prescrit. La présente technique peut être appliquée, par exemple, à un élément d'imagerie à semi-conducteur, etc.