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1. (WO2017138367) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PURIFIER DU FLUOR GAZEUX
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N° de publication : WO/2017/138367 N° de la demande internationale : PCT/JP2017/002854
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 27.01.2017
CIB :
C01B 7/20 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
01
CHIMIE INORGANIQUE
B
ÉLÉMENTS NON MÉTALLIQUES; LEURS COMPOSÉS
7
Halogènes; Hydracides d'halogènes
19
Fluor; Acide fluorhydrique
20
Fluor
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
セントラル硝子株式会社 CENTRAL GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 山口県宇部市大字沖宇部5253番地 5253, Oaza Okiube, Ube-shi, Yamaguchi 7550001, JP
Inventeurs :
八尾 章史 YAO, Akifumi; JP
大矢 浩平 OOYA, Kohei; JP
武田 雄太 TAKEDA, Yuta; JP
江藤 純 ETO, Jun; JP
Mandataire :
小林 博通 KOBAYASHI, Hiromichi; JP
富岡 潔 TOMIOKA, Kiyoshi; JP
山口 幸二 YAMAGUCHI, Koji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02245509.02.2016JP
2017-01059324.01.2017JP
Titre (EN) METHOD FOR PURIFYING FLUORINE GAS
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE PURIFIER DU FLUOR GAZEUX
(JA) フッ素ガスの精製方法
Abrégé :
(EN) Disclosed is a purification method for removing a metal component from a fluorine gas that contains hydrogen fluoride and a metal component. This method includes a removal step for contacting the fluorine gas to a solid metal fluoride, and removing the hydrogen fluoride and the metal component therefrom as a result of adsorption thereof by the metal fluoride. The content of the hydrogen fluoride in the fluorine gas prior to the removal step is 50 ppm (vol.) to 1 vol%, inclusive, of the total volume of the fluorine gas, the hydrogen fluoride, and the metal component. It is preferable for the metal fluoride to be an alkali metal fluoride or an alkali earth metal fluoride. Surprisingly, the presence of hydrogen fluoride in a fluorine gas makes it possible to remove a metal component therefrom as an impurity as a result of adsorption thereof by a metal fluoride.
(FR) L'invention concerne un procédé de purification destiné à retirer un constituant métallique d'un fluor gazeux qui contient du fluorure d'hydrogène et un constituant métallique. Ce procédé comprend une étape de retrait pour mettre en contact le fluor gazeux avec un fluorure de métal solide, et en retirer le fluorure d'hydrogène et le constituant métallique par adsorption par le fluorure métallique. La teneur en fluorure d'hydrogène dans le fluor gazeux avant l'étape de retrait est de 50 ppm (en volume) pour 1 % en volume, inclus, du volume total du fluor gazeux, du fluorure d'hydrogène et du constituant métallique. Il est préférable que le fluorure de métal soit un fluorure de métal alcalin ou un fluorure de métal alcalino-terreux. De manière inattendue, la présence de fluorure d'hydrogène dans un fluor gazeux permet d'en retirer un constituant métallique sous forme d'impureté par adsorption par un fluorure métallique.
(JA) 開示されているのは、フッ化水素と金属成分を含むフッ素ガスから金属成分を除去する精製方法である。この方法は、前記フッ素ガスを、固体の金属フッ化物に接触させ、フッ化水素及び金属成分を金属フッ化物に吸着させて除去する除去工程を含む。前記除去工程前のフッ素ガス中のフッ化水素の含有量が、フッ素ガス、フッ化水素及び金属成分の合計体積に対して50体積ppm以上、1体積%以下である。金属フッ化物が、アルカリ金属フッ化物又はアルカリ土類金属フッ化物であることが好ましい。フッ素ガスにフッ化水素を共存させることによって、意外にも、不純物としての金属成分を金属フッ化物に吸着させて除去できる。
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Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)