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1. (WO2017138274) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
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N° de publication : WO/2017/138274 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/088671
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 26.12.2016
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01)
Déposants : SCREEN HOLDINGS CO., LTD.[JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Inventeurs : IWAO, Michinori; JP
MURAMOTO, Ryo; JP
Mandataire : MATSUSAKA, Masahiro; JP
TANAKA, Tsutomu; JP
IDA, Masamichi; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02244909.02.2016JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING DEVICE AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
Abrégé : front page image
(EN) A substrate holder unit of a substrate processing device holds a substrate (9) in a horizontal state. A substrate rotation mechanism rotates the substrate holder unit about a central axis J1 oriented in an upper-lower direction. A top plate (5) is opposed to an upper surface of the substrate (9), and rotated about the central axis (J1). A gas supply unit supplies processing atmosphere gas to a radially central portion of a lower space which is a space under the top plate (5). An ion generation unit (8) generates and supplies ions to the processing atmosphere gas from the gas supply unit. With the top plate (5) positioned lower than at the time of delivery of the substrate (9), the processing atmosphere gas including the ions is supplied to the lower space while the substrate holder unit and the top plate (5) are rotated. As a result, an ion airflow is formed expanding from the radially central portion of the lower space toward radially outside. In this way, the top plate (5) can be neutralized in a simple structure.
(FR) Unité de support de substrat d'un dispositif de traitement de substrat maintenant un substrat (9) dans un état horizontal. Un mécanisme de rotation de substrat fait tourner l'unité de support de substrat autour d'un axe central J1 orienté dans une direction supérieure-inférieure. Une plaque supérieure (5) est opposée à une surface supérieure du substrat (9), et tourne autour de l'axe central (J1). Une unité d'alimentation en gaz apporte du gaz d'atmosphère de traitement à une partie radialement centrale d'un espace inférieur qui est un espace sous la plaque supérieure (5). Une unité de production d'ions (8) produit et apporte des ions au gaz d'atmosphère de traitement depuis l'unité d'alimentation en gaz. Avec la plaque supérieure (5) positionnée plus bas qu'au moment de l'arrivée du substrat (9), le gaz d'atmosphère de traitement comprenant des ions est apporté à l'espace inférieur lorsque l'unité de support de substrat et la plaque supérieure (5) tournent. Par conséquent, un écoulement d'air d'ions est formé, s'étendant depuis la partie radialement centrale de l'espace inférieur vers l'extérieur radialement. De cette manière, la plaque supérieure (5) peut être neutralisée dans une structure simple.
(JA) 基板処理装置の基板保持部は、水平状態で基板(9)を保持する。基板回転機構は、上下方向を向く中心軸J1を中心として基板保持部を回転する。トッププレート(5)は、基板(9)の上面に対向するとともに、中心軸(J1)を中心として回転する。ガス供給部は、トッププレート(5)の下方の空間である下方空間の径方向中央部に処理雰囲気用ガスを供給する。イオン発生部(8)は、イオンを生成してガス供給部からの処理雰囲気用ガスに供給する。そして、トッププレート(5)が基板(9)の搬入時よりも下方に位置する状態で基板保持部およびトッププレート(5)を回転させつつ、イオンを含む処理雰囲気用ガスを上記下方空間に供給し、下方空間の径方向中央部から径方向外方へと拡がるイオン気流を形成する。これにより、トッププレート(5)の除電を簡素な構造で行うことができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)