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1. (WO2017138247) SUBSTRAT ÉPITAXIAL EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/138247    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/087209
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 14.12.2016
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : ITOH, Hironori; (JP).
NISHIGUCHI, Taro; (JP).
HIRATSUKA, Kenji; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-023939 10.02.2016 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE EPITAXIAL SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT ÉPITAXIAL EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A silicon carbide epitaxial substrate according to the present disclosure is provided with: a silicon carbide single-crystal substrate having a first major surface; a first silicon carbide layer on the silicon carbide single-crystal substrate which contains a carrier of a first concentration; and a second silicon carbide layer on the first silicon carbide layer which contains a carrier of a second concentration smaller than the first concentration, and which includes a second major surface on the opposite side from the first major surface. In a carrier concentration profile along a direction in which the first silicon carbide layer and the second silicon carbide layer are stacked, a transition region in which the carrier concentration is varied between the first concentration and the second concentration has a width of not more than 1 μm. The ratio of standard deviation of the second concentration to an average value of the second concentration, which is defined as the uniformity of the second concentration in a central region within 60 mm from the center of the second major surface, is not more than 5%. The central region has an arithmetic mean roughness of not more than 0.5 nm.
(FR)La présente invention concerne un substrat épitaxial en carbure de silicium qui comprend : un substrat monocristallin en carbure de silicium ayant une première surface principale ; une première couche de carbure de silicium sur le substrat monocristallin en carbure de silicium qui contient un support d'une première concentration ; et une seconde couche de carbure de silicium sur la première couche de carbure de silicium qui contient un support d'une seconde concentration inférieure à la première concentration, et qui comprend une seconde surface principale sur le côté opposé à la première surface principale. Dans un profil de concentration de support dans une direction dans laquelle la première couche de carbure de silicium et la seconde couche de carbure de silicium sont empilées, une région de transition dans laquelle la concentration de support est modifiée entre la première concentration et la seconde concentration, présente une largeur inférieure ou égale à 1 µm. Le rapport entre l'écart type de la seconde concentration et une valeur moyenne de la seconde concentration, qui est définie comme étant l'uniformité de la seconde concentration dans une région centrale dans les 60 mm par rapport au centre de la seconde surface principale, est inférieur ou égal à 5 %. La région centrale présente une rugosité moyenne arithmétique inférieure ou égale à 0,5 nm.
(JA)本開示に係る炭化珪素エピタキシャル基板は、第1の主面を有する炭化珪素単結晶基板と、第1の濃度のキャリアを有し、炭化珪素単結晶基板上の第1の炭化珪素層と、第1の濃度よりも小さい第2の濃度のキャリアを有し、かつ、第1の主面の反対側の第2の主面を含む、第1の炭化珪素層上の第2の炭化珪素層とを備える。第1の炭化珪素層および第2の炭化珪素層の積層方向に沿った、キャリアの濃度プロファイルにおいて、第1の濃度と第2の濃度との間でキャリアの濃度が変化する遷移領域の幅が1μm以下である。第2の主面の中心から60mm以内の中央領域における第2の濃度の均一性と定義される、第2の濃度の平均値に対する第2の濃度の標準偏差の比率は、5%以下である。中央領域の算術平均粗さは、0.5nm以下である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)