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1. (WO2017138234) UNITÉ DE COMMANDE DE MÉMOIRE, SYSTÈME DE MÉMOIRE, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR UNITÉ DE COMMANDE DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication :    WO/2017/138234    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/085739
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 01.12.2016
CIB :
G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1 Konan, Minato-ku, Tokyo 1080075 (JP)
Inventeurs : TERADA, Haruhiko; (JP)
Mandataire : MARUSHIMA, Toshikazu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2016-021812 08.02.2016 JP
Titre (EN) MEMORY CONTROLLER, MEMORY SYSTEM, AND CONTROL METHOD FOR MEMORY CONTROLLER
(FR) UNITÉ DE COMMANDE DE MÉMOIRE, SYSTÈME DE MÉMOIRE, ET PROCÉDÉ DE COMMANDE POUR UNITÉ DE COMMANDE DE MÉMOIRE
(JA) メモリコントローラ、メモリシステム、および、メモリコントローラの制御方法
Abrégé : front page image
(EN)In order to suppress fluctuation in voltage drop in a non-volatile memory having variable resistance elements provided therein, an initialization control unit changes, in a read only mode, the resistance value for variable resistance elements within an access-restricted area to an initial value greater than a prescribed value and changes to a writable mode, said access-restricted area being in a memory cell array having the variable resistance elements arranged therein, said read only mode prohibiting writing to the access-restricted area, and said writable mode permitting writing to the access-restricted area. In the writable mode, a write control unit changes the resistance value of an element corresponding to write data, among the variable resistance elements inside the access-restricted area, to a value smaller than the initial value and changes to read only mode.
(FR)Afin de supprimer la fluctuation de chute de tension dans une mémoire non-volatile dans laquelle sont disposés des éléments à résistance variable, une unité de commande d'initialisation change, en mode de lecture seule, la valeur de résistance pour des éléments à résistance variable dans une zone d'accès restreint à une valeur initiale supérieure à une valeur prescrite et passe à un mode d'écriture, ladite zone d'accès restreint étant dans une matrice de cellules de mémoire dans laquelle sont disposés les éléments à résistance variable, ledit mode de lecture seule empêchant l'écriture dans la zone d'accès restreint, et ledit mode d'écriture permettant l'écriture dans la zone d'accès restreint. Dans le mode d'écriture, une unité de commande d'écriture change la valeur de résistance d'un élément correspondant aux données d'écriture, parmi les éléments à résistance variable à l'intérieur de la zone d'accès restreint, à une valeur inférieure à la valeur initiale et passe au mode de lecture seule. FIG. 5: 300%%%Unité de commande de mémoire 304%%%Unité de traitement ECC 310%%%Unité de commande d'initialisation 320%%%Unité de commande d'écriture 330%%%Unité de génération d'état 340%%%Unité de commande de lecture AA%%%Instruction d'effacement de données BB%%%Instruction d'écriture CC%%%Données DD%%%État EE%%%Instruction de lecture FF%%%Écriture autorisée GG%%%Requête d'écriture HH%%%Erreur d'interdiction d'écriture II%%%Écriture interdite JJ%%%Erreur ECC KK%%%Erreur d'adresse LL%%%Requête de lecture
(JA)可変抵抗素子が設けられた不揮発性メモリにおいて電圧降下の変動を抑制する。 初期化制御部は、可変抵抗素子が配列されたメモリセルアレイにおけるアクセス制限領域への書込みを禁止するリードオンリーモードとアクセス制限領域への書込みを許可するライタブルモードとのうちリードオンリーモードにおいてアクセス制限領域内の可変抵抗素子の抵抗値を所定値より大きい初期値に変化させてライタブルモードに移行する。また、ライト制御部は、ライタブルモードにおいてアクセス制限領域内の可変抵抗素子のうちライトデータに対応する素子の抵抗値を初期値より小さい値に変化させてリードオンリーモードに移行する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)