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1. (WO2017138166) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, MASQUE DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
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N° de publication : WO/2017/138166 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/071759
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 25.07.2016
CIB :
C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/04 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
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caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
04
Revêtement de parties déterminées de la surface, p.ex. au moyen de masques
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51
Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50
spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H ÉLECTRICITÉ
05
TECHNIQUES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
B
CHAUFFAGE ÉLECTRIQUE; ÉCLAIRAGE ÉLECTRIQUE NON PRÉVU AILLEURS
33
Sources de lumière électroluminescentes
10
Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources de lumière électroluminescentes
Déposants :
鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.; 新北市土城區中山路66號 66, Chung Shan Road, Tu-Cheng Dist., New Taipei City, TW
Inventeurs :
西田 光志 NISHIDA Koshi; --
矢野 耕三 YANO Kozo; --
岸本 克彦 KISHIMOTO Katsuhiko; --
崎尾 進 SAKIO Susumu; --
竹井 日出夫 TAKEI Hideo; --
Mandataire :
奥田 誠司 OKUDA Seiji; JP
Données relatives à la priorité :
2016-02401110.02.2016JP
Titre (EN) VAPOR DEPOSITIN MASK MANUFACTURING METHOD, VAPOR DEPOSITION MASK, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MASQUE DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR, MASQUE DE DÉPÔT EN PHASE VAPEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE
(JA) 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing a vapor deposition mask (100) provided with a resin layer (10) and a magnetic metal layer (20) formed on the resin layer (10) includes (A) a step for preparing a substrate, (B) a step for forming the resin layer by applying a solution containing a resin material or a precursor solution of a resin material on a surface of the substrate and then performing heat treatment, (C) a step for forming, on the resin layer (10), a magnetic metal layer (20) having a masking section (20a) comprising solid areas (20a(1)) in which there is a metal film and a non-solid area (20a(2)) in which there is no metal film and a surrounding section (20b) disposed so as to surround the masking section (20a), (D) a step for forming multiple openings (13) in the resin layer (10) in regions located in the non-solid area of the masking section (20a), and (E) a step after step (D) for peeling the resin layer (10) from the substrate.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un masque de dépôt en phase vapeur (100) pourvu d'une couche de résine (10) et d'une couche de métal magnétique (20) formée sur la couche de résine (10), le procédé comprenant : (A) une étape consistant à préparer un substrat, (B) une étape consistant à former la couche de résine par application d'une solution contenant un matériau de résine ou d'une solution de précurseur d'un matériau de résine sur une surface du substrat, puis à effectuer un traitement thermique, (C) une étape consistant à former, sur la couche de résine (10), une couche de métal magnétique (20) ayant une section de masquage (20a) comprenant des zones pleines (20a(1)) dans lesquelles se trouve un film de métal et une zone non pleine (20a(2)) dans laquelle il n'y a pas de film de métal et une section périphérique (20b) disposée afin d'entourer la section de masquage (20a), (D) une étape consistant à former plusieurs ouvertures (13) dans la couche de résine (10) dans des régions situées dans la zone non pleine de la section de masquage (20a) et (E) une étape après l'étape (D) consistant à peler la couche de résine (10) du substrat.
(JA) 樹脂層(10)と、樹脂層(10)上に形成された磁性金属層(20)とを備えた蒸着マスク(100)の製造方法であって、(A)基板を用意する工程と、(B)基板の表面に樹脂材料を含む溶液または樹脂材料の前駆体溶液を付与した後、熱処理を行うことによって樹脂層を形成する工程と、(C)樹脂層(10)上に、金属膜が存在している中実部(20a(1))と金属膜が存在していない非中実部(20a(2))とを含むマスク部(20a)と、マスク部(20a)を包囲するように配置された周辺部(20b)とを有する磁性金属層(20)を形成する工程と、(D)樹脂層(10)におけるマスク部(20a)の非中実部に位置する領域に、複数の開口部(13)を形成する工程と、(E)工程(D)の後、基板から樹脂層(10)を剥離する工程とを包含する。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)