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1. (WO2017138121) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/138121 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/054003
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 10.02.2016
CIB :
H01L 25/065 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
065
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L27/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
03
les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes H01L27/-H01L51/132
04
les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
07
les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe H01L29/81
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25
Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
18
les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes H01L27/-H01L51/166
Déposants :
ルネサスエレクトロニクス株式会社 RENESAS ELECTRONICS CORPORATION [JP/JP]; 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 2-24, Toyosu 3-chome, Koutou-ku, Tokyo 1350061, JP
Inventeurs :
中川 和之 NAKAGAWA, Kazuyuki; JP
寺島 克司 TERAJIMA, Katsushi; JP
土屋 恵太 TSUCHIYA, Keita; JP
佐藤 嘉昭 SATO, Yoshiaki; JP
内田 浩享 UCHIDA, Hiroyuki; JP
萱島 祐治 KAYASHIMA, Yuji; JP
仮屋崎 修一 KARIYAZAKI, Shuuichi; JP
馬場 伸治 BABA, Shinji; JP
Mandataire :
特許業務法人筒井国際特許事務所 TSUTSUI & ASSOCIATES; 東京都新宿区新宿2丁目3番10号 新宿御苑ビル3階 3F, Shinjuku Gyoen Bldg., 3-10, Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置
Abrégé :
(EN) According to one embodiment of the present invention, a semiconductor device has a first semiconductor component and a second semiconductor component, which are mounted on a wiring board. The first semiconductor component has a first terminal for performing transmission of first signals between the outside and the first semiconductor component, and a second terminal for performing transmission of second signals between the second semiconductor component and the first semiconductor component. The second semiconductor component has a third terminal for performing transmission of the second signals between the first semiconductor component and the second semiconductor component. The first signals are transmitted at a frequency that is higher than the frequency at which the second signals are transmitted. The second terminal of the first semiconductor component, and the third terminal of the second semiconductor component are electrically connected to each other via the first wiring member. The first terminal of the first semiconductor component is electrically connected to the wiring board not via the first wiring member, but via a first bump electrode.
(FR) Selon un mode de réalisation de l’invention, un dispositif à semi-conducteurs possède un premier ainsi qu’un second composant semi-conducteur montés sur une carte de circuit imprimé. Ledit premier composant semi-conducteur possède une première borne transmettant un premier signal vis-à-vis d’une partie externe, et une seconde borne transmettant un second signal vis-à-vis dudit second composant semi-conducteur. En outre, ledit second composant semi-conducteur possède une troisième borne transmettant un second signal vis-à-vis dudit premier composant semi-conducteur. Ledit premier signal est transmis selon une fréquence plus haute que ledit second signal. Ladite seconde borne dudit premier composant semi-conducteur et ladite troisième borne dudit second composant semi-conducteur sont électriquement connectées par l’intermédiaire d’un premier élément câblage. Enfin, ladite première borne dudit premier composant semi-conducteur est électriquement connectée à ladite carte de circuit imprimé sans passer par l’intermédiaire dudit premier élément câblage, mais par l’intermédiaire d’une première électrode à bosse.
(JA)  一実施の形態による半導体装置は、配線基板に搭載される第1半導体部品および第2半導体部品を有している。上記第1半導体部品は、外部との間で第1信号を伝送する第1端子、および上記第2半導体部品との間で第2信号を伝送する第2端子を有する。また、上記第2半導体部品は、上記第1半導体部品との間で上記第2信号を伝送する第3端子を有する。また、上記第1信号は上記第2信号より高い周波数で伝送される。また、上記第1半導体部品の上記第2端子と上記第2半導体部品の上記第3端子は、上記第1配線部材を介して電気的に接続されている。また、上記第1半導体部品の上記第1端子は、上記第1配線部材を介さず、かつ、第1バンプ電極を介して上記配線基板と電気的に接続されるものである。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)