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1. (WO2017138092) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/138092 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/053808
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 09.02.2016
CIB :
H01L 23/28 (2006.01) ,H01L 21/56 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
50
Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes H01L21/06-H01L21/326185
56
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
29
caractérisées par le matériau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
28
Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
31
caractérisées par leur disposition
Déposants :
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
Inventeurs :
川島 裕史 KAWASHIMA, Hiroshi; JP
岩井 貴雅 IWAI, Takamasa; JP
鹿野 武敏 SHIKANO, Taketoshi; JP
近藤 聡 KONDO, Satoshi; JP
坂本 健 SAKAMOTO, Ken; JP
Mandataire :
高田 守 TAKADA, Mamoru; JP
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電力用半導体装置及びその製造方法
Abrégé :
(EN) A lead frame (4) has an inner lead (5), an outer lead (2) connected to the inner lead (5), and a power die pad (7). A power semiconductor element (9) is bonded on the power die pad (7). A first metal thin line (11) electrically connects the inner lead (5) and the power semiconductor element (9) to each other. A sealing resin (1) seals the inner lead (5), the power die pad (7), the power semiconductor element (9), and the first metal thin line (11). The sealing resin (1) has an insulating section (15) directly under the power die pad (7). The thickness of the insulating section (15) is one to four times the maximum diameter of inorganic particles in the sealing resin (1). In an upper surface of the sealing resin (1), a first hollow (14) is provided in a region directly above the power die pad (7), said region having neither the first metal thin line (11) nor the power semiconductor element (9).
(FR) Selon la présente invention, une grille de connexion (4) comprend un conducteur intérieur (5), un conducteur extérieur (2) connecté au conducteur intérieur (5), et une plage de puce de puissance (7). Un élément à semi-conducteur de puissance (9) est fixé sur la plage de puce de puissance (7). Une première ligne métallique fine (11) connecte électriquement le conducteur intérieur (5) et l'élément à semi-conducteur de puissance (9). Une résine d'étanchéité (1) assure l'étanchéité du conducteur intérieur (5), de la plage de puce de puissance (7), de l'élément à semi-conducteur de puissance (9) et de la première ligne métallique fine (11). La résine d'étanchéité (1) comporte une section isolante (15) directement au-dessous de la plage de puce de puissance (7). L'épaisseur de la section isolante (15) est de une à quatre fois le diamètre maximum de particules inorganiques dans la résine d'étanchéité (1). Dans une surface supérieure de la résine d'étanchéité (1), un premier creux (14) est ménagé dans une région directement au-dessus de la plage de puce de puissance (7), ladite région ne contenant ni la première ligne métallique fine (11) ni l'élément à semi-conducteur de puissance (9).
(JA)  リードフレーム(4)は、インナーリード(5)と、インナーリード(5)に接続されたアウターリード(2)と、電力用ダイパッド(7)とを有する。電力用半導体素子(9)が電力用ダイパッド(7)上に接合されている。第1の金属細線(11)がインナーリード(5)と電力用半導体素子(9)を電気的に接続する。封止樹脂(1)がインナーリード(5)、電力用ダイパッド(7)、電力用半導体素子(9)及び第1の金属細線(11)を封止する。封止樹脂(1)は、電力用ダイパッド(7)の真下に絶縁部(15)を有する。絶縁部(15)の厚みは封止樹脂(1)内の無機物粒子の最大粒径の1~4倍である。封止樹脂(1)の上面には、電力用ダイパッド(7)の真上であって第1の金属細線(11)及び電力用半導体素子(9)が無い領域に第1の窪み(14)が設けられている。
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Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)