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1. (WO2017137589) ANTENNE TÉRAHERTZ ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UNE ANTENNE TÉRAHERTZ
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N° de publication : WO/2017/137589 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/053053
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 10.02.2017
CIB :
C30B 29/40 (2006.01) ,G01J 3/20 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 31/0304 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
40
Composés AIII BV
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
J
MESURE DE L'INTENSITÉ, DE LA VITESSE, DU SPECTRE, DE LA POLARISATION, DE LA PHASE OU DES CARACTÉRISTIQUES D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE INFRAROUGE, VISIBLE OU ULTRAVIOLETTE; COLORIMÉTRIE; PYROMÉTRIE DES RADIATIONS
3
Spectrométrie; Spectrophotométrie; Monochromateurs; Mesure de la couleur
12
Production du spectre; Monochromateurs
18
en utilisant des éléments diffractants, p.ex. réseaux
20
Spectromètres à cercle de Rowland
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
0304
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
Déposants :
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München, DE
Inventeurs :
DIETZ, Roman; DE
GÖBEL, Thorsten; DE
GLOBISCH, Björn; DE
MASSELINK, William Ted; DE
SEMTSIV, Mykhaylo Petrovych; DE
Mandataire :
MAIKOWSKI & NINNEMANN PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Postfach 15 09 20 10671 Berlin, DE
Données relatives à la priorité :
10 2016 202 216.412.02.2016DE
Titre (EN) TERAHERTZ ANTENNA AND METHOD FOR PRODUCING A TERAHERTZ ANTENNA
(FR) ANTENNE TÉRAHERTZ ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UNE ANTENNE TÉRAHERTZ
(DE) TERAHERTZ-ANTENNE UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER TERAHERTZ-ANTENNE
Abrégé :
(EN) The invention relates to a terahertz antenna comprising at least one photoconductive layer (11) which generates charge carriers during the irradiation of light, and two electroconductive antenna elements (21, 22) by which means an electrical voltage can be applied to at least one section of the photoconductive layer (11), the photoconductive layer (11) being doped with a dopant in a concentration of at least 1 x 1018cm-3, the dopant being a transition metal. According to the invention, the photoconductive layer (11) is produced by molecular beam epitaxy at a minimum growth temperature of 200°C and a maximum of 500°C, the dopant being arranged in the photoconductive layer (11) such that it produces a plurality of point defects. The invention also relates to a method for producing a terahertz antenna.
(FR) L'invention concerne une antenne térahertz présentant au moins une couche (11) photoconductrice, qui génère des porteurs de charge lors d'une irradiation par de la lumière ; deux éléments (21, 22) d'antenne électriquement conducteurs, via lesquels une tension électrique peut être appliquée à au moins une section de la couche (11) photoconductrice, la couche (11) photoconductrice étant dopée par une substance de dopage en une concentration d'au moins 1 x 1018cm-3, la substance de dopage étant un métal de transition. Selon l'invention, la couche (11) photoconductrice est obtenue par épitaxie par jets moléculaires à une température de croissance d'au moins 200°C et d'au maximum 500°C, la substance de dopage étant disposée dans la couche (11) photoconductrice de manière telle qu'elle génère une multitude de défauts ponctuels. L’invention concerne également un procédé de fabrication d’une antenne térahertz.
(DE) Die Erfindung betrifft eine Terahertz-Antenne, mit mindestens einer fotoleitenden Schicht (11), die bei Einstrahlung von Licht Ladungsträger generiert; zwei elektrisch leitfähige Antennenelemente (21, 22), über die eine elektrische Spannung an zumindest einen Abschnitt der fotoleitenden Schicht (11) anlegbar ist, die fotoleitenden Schicht (11) mit einem Dotierstoff in einer Konzentration von mindestens 1 x 1018cm-3 dotiert ist, wobei es sich bei dem Dotierstoff um ein Übergangsmetall handelt. Erfindungsgemäß ist die fotoleitende Schicht (11) per Molekularstrahlepitaxie bei einer Wachstumstemperatur von mindestens 200° C und von maximal 500° C erzeugt, wobei der Dotierstoff so in der fotoleitenden Schicht (11) angeordnet ist, dass er eine Vielzahl von Punktdefekten erzeugt. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen einer Terahertz-Antenne.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)