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1. (WO2017137271) MODELAGE À AUTO-ASSEMBLAGE POUR FABRICATION DE DISPOSITIFS À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international    Formuler une observation

N° de publication : WO/2017/137271 N° de la demande internationale : PCT/EP2017/051854
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 27.01.2017
CIB :
H01L 31/032 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31
Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248
caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256
caractérisés par les matériaux
0264
Matériaux inorganiques
032
comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes H01L31/0272-H01L31/0312169
Déposants : FLISOM AG[CH/CH]; Gewerbestrasse 16 8155 Niederhasli (ZH), CH
Inventeurs : CHIRILA, Adrian; DE
REINHARD, Patrick; CH
Mandataire : PARRINI, Lorenzo; CH
Données relatives à la priorité :
PCT/IB2016/05072711.02.2016IB
Titre (EN) Self-Assembly Patterning for Fabricating Thin-Film Devices
(FR) MODELAGE À AUTO-ASSEMBLAGE POUR FABRICATION DE DISPOSITIFS À FILM MINCE
Abrégé :
(EN) A method (200) for fabricating patterns on the surface of a layer of a device (100), the method comprising: providing at least one layer (130, 230); adding at least one alkali metal (235) comprising Cs and/or Rb; controlling the temperature (2300) of the at least one layer, thereby forming a plurality of self-assembled, regularly spaced, parallel lines of alkali compound embossings (1300, 1305) at the surface of the layer. The method further comprises forming cavities (236, 1300) by dissolving the alkali compound embossings. The method (200) is advantageous for nanopatterning of devices (100) without using templates and for the production of high efficiency optoelectronic thin-film devices (100).
(FR) L'invention concerne un procédé (200) de fabrication de motifs sur la surface d'une couche d'un dispositif (100), le procédé consistant à : réaliser au moins une couche (130, 230); ajouter au moins un métal alcalin (235) comprenant du Cs et/ou du Rb; réguler la température (2300) de la ou des couches, ce qui permet de former une pluralité de lignes parallèles auto-assemblées, régulièrement espacées, de gaufrages de composé alcalin (1300, 1305) au niveau de la surface de la couche. Le procédé consiste en outre à former des cavités (236, 1300) par la dissolution des gaufrages de composé alcalin. Le procédé (200) est avantageux pour le nanomodelage de dispositifs (100) sans utiliser de modèles et pour la production de dispositifs à film mince optoélectroniques à haut-rendement (100).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)