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1. (WO2017137086) DISPOSITIF POUR LA DÉTECTION HAUTEMENT SENSIBLE D'UN ANALYTE GAZEUX
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/137086 N° de la demande internationale : PCT/EP2016/052941
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 11.02.2016
CIB :
G01N 27/414 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
27
Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques
26
en recherchant des variables électrochimiques; en utilisant l'électrolyse ou l'électrophorèse
403
Ensembles de cellules et d'électrodes
414
Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c. à d. ISFETS ou CHEMFETS
Déposants :
UNIVERSITEIT LEIDEN [NL/NL]; Rapenburg 70 2311 EZ Leiden, NL
ENVIRONMENTAL MONITORING SYSTEMS (EMS) B.V. [NL/NL]; Raiffeisenstraat 24 4697CG Sint-Annaland, NL
Inventeurs :
VAN DIJKMAN, Thomas, Frederik; NL
BOUWMAN, Elisabeth; NL
FU, Wangyang; NL
SCHNEIDER, Gregory; NL
BOERMAN, Jan-Kees; NL
Mandataire :
VAN KOOIJ, Adriaan; NL
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) A DEVICE FOR THE HIGHLY SENSITIVE DETECTION OF A GASEOUS ANALYTE
(FR) DISPOSITIF POUR LA DÉTECTION HAUTEMENT SENSIBLE D'UN ANALYTE GAZEUX
Abrégé :
(EN) The present invention relates to a device for detection of a gaseous analyte. Specifically, the present invention relates to a device for detection of a gaseous analyte, wherein the device is comprised of a first layer, being a substrate layer, a second layer, being an electrical insulating layer interposed between the first layer and a third layer, being a graphene layer and a fourth layer that is comprised of transition metal complexes, wherein the fourth layer is provided on a top surface of the graphene layer, wherein said transition metal complexes are capable to form a stable complex with said gaseous analyte. Furthermore the device comprises at least two electrodes being in electrical communication with the graphene layer and are capable of measuring a change in conductance of the graphene layer by measuring a change in electric potential between electrodes. Furthermore the present invention relates to methods for the detection of gaseous analyte and the use of the device of present invention to measure the gaseous analyte concentrations.
(FR) La présente invention concerne un dispositif pour la détection d'un analyte gazeux. Spécifiquement, la présente invention concerne un dispositif pour la détection d'un analyte gazeux, le dispositif étant constitué d'une première couche, qui est une couche de substrat, d'une deuxième couche, qui est une couche électriquement isolante intercalée entre la première couche et une troisième couche, qui est une couche de graphène et une quatrième couche qui comprend des complexes de métaux de transition, la quatrième couche étant disposée sur une surface supérieure de la couche de graphène, lesdits complexes de métaux de transition étant aptes à former un complexe stable avec ledit analyte gazeux. En outre, le dispositif comprend au moins deux électrodes en communication électrique avec la couche de graphène et qui sont aptes à mesurer un changement de conductance de la couche de graphène par la mesure d'un changement de potentiel électrique entre les électrodes. En outre, la présente invention concerne des procédés de détection d'un analyte gazeux et l'utilisation du dispositif de la présente invention pour mesurer les concentrations d'analyte gazeux.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)