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1. (WO2017136984) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À FILM MINCE DE TYPE N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2017/136984 N° de la demande internationale : PCT/CN2016/083566
Date de publication : 17.08.2017 Date de dépôt international : 26.05.2016
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
334
Procédés comportant plusieurs étapes pour la fabrication de dispositifs du type unipolaire
335
Transistors à effet de champ
336
à grille isolée
Déposants : WUHAN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.[CN/CN]; Building C5, Biolake of Optics Valley, No.666 Gaoxin Avenue, Wuhan East Lake High-tech Development Zone Wuhan, Hubei 430070, CN
Inventeurs : YU, Xiaojiang; CN
Mandataire : COMIPS INTELLECTUAL PROPERTY OFFICE; Room 15E Shenkan Building,Shangbu Zhong Road, Futian District Shenzhen, Guangdong 518028, CN
Données relatives à la priorité :
201610085496.614.02.2016CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING N-TYPE THIN-FILM TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TRANSISTOR À FILM MINCE DE TYPE N
(ZH) N型薄膜晶体管的制作方法
Abrégé :
(EN) A method for manufacturing an n-type thin-film transistor. A process of the manufacturing method uses a chemical solution to etch a trench region of the n-type thin-film transistor to increase a surface roughness of a low-temperature polysilicon in the trench region. The process increases a surface defect density of the low-temperature polysilicon in the trench region of the n-type thin-film transistor, thereby achieving a positive shift of a threshold voltage of the n-type thin-film transistor and ensuring that the manufactured n-type thin-film transistor can be promptly switched off under a low voltage. The method offers high production efficiency and low production cost.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor à film mince de type n. Un procédé de fabrication selon l'invention utilise une solution chimique pour graver une région de tranchée du transistor à film mince de type n pour augmenter la rugosité de surface d'un polysilicium basse température dans la région de tranchée. Le procédé augmente une densité de défauts de surface du polysilicium basse température dans la région de tranchée du transistor à film mince de type n, ce qui permet d'obtenir un décalage positif d'une tension de seuil du transistor à film mince de type n et de s'assurer que le transistor à film mince de type n fabriqué peut être rapidement mis hors tension sous une basse tension. Le procédé offre une efficacité de production élevée et un faible coût de production.
(ZH) 一种N型薄膜晶体管的制作方法,在制作过程中采用化学溶液对N型薄膜晶体管的沟道区进行蚀刻,提高N型薄膜晶体管的沟道区内的低温多晶硅的表面粗糙度,从而提高N型薄膜晶体管的沟道区内的低温多晶硅的表面缺陷浓度,使制得的N型薄膜晶体管的阈值电压向正方向移动,保证制得的N型薄膜晶体管在低电压下能及时关闭,生产效率高,生产成本低。
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Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)