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1. (WO2017111090) FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ACTIONNEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, CAPTEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, ENSEMBLE DE TÊTE, ENSEMBLE DE PILE DE TÊTE, LECTEUR DE DISQUE DUR, TÊTE D'IMPRIMANTE ET DISPOSITIF D'IMPRIMANTE À JET D'ENCRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2017/111090 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/088501
Date de publication : 29.06.2017 Date de dépôt international : 22.12.2016
CIB :
C30B 29/32 (2006.01) ,B41J 2/14 (2006.01) ,C04B 35/475 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,C23C 14/24 (2006.01) ,C23C 14/28 (2006.01) ,G11B 5/596 (2006.01) ,G11B 21/10 (2006.01) ,G11B 21/21 (2006.01) ,H01L 41/09 (2006.01) ,H01L 41/113 (2006.01) ,H01L 41/187 (2006.01) ,H02N 2/02 (2006.01) ,H02N 2/18 (2006.01)
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29
Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10
Composés inorganiques ou compositions inorganiques
16
Oxydes
22
Oxydes complexes
32
Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
B TECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
41
IMPRIMERIE; LIGNARDS; MACHINES À ÉCRIRE; TIMBRES
J
MACHINES À ÉCRIRE; MÉCANISMES D'IMPRESSION SÉLECTIVE, c. à d. MÉCANISMES IMPRIMANT AUTREMENT QUE PAR UTILISATION DE FORMES D'IMPRESSION; CORRECTION D'ERREURS TYPOGRAPHIQUES
2
Machines à écrire ou mécanismes d'impression sélective caractérisés par le procédé d'impression ou de marquage pour lequel ils sont conçus
005
caractérisés par la mise en contact sélective d'un liquide ou de particules avec un matériau d'impression
01
à jet d'encre
135
Ajutages
14
Leur structure
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
04
CIMENTS; BÉTON; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES
B
CHAUX; MAGNÉSIE; SCORIES; CIMENTS; LEURS COMPOSITIONS, p.ex. MORTIERS, BÉTON OU MATÉRIAUX DE CONSTRUCTION SIMILAIRES; PIERRE ARTIFICIELLE; CÉRAMIQUES; RÉFRACTAIRES; TRAITEMENT DE LA PIERRE NATURELLE
35
Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur composition; Compositions céramiques; Traitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques
01
à base d'oxydes
46
à base d'oxydes de titane ou de titanates
462
à base de titanates
475
à base de titanates de bismuth
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06
caractérisé par le matériau de revêtement
08
Oxydes
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14
Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22
caractérisé par le procédé de revêtement
24
Evaporation sous vide
28
par énergie éléctromagnétique ou par rayonnement corpusculaire
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5
Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
48
Disposition ou montage des têtes par rapport aux supports d'enregistrement
58
comportant des dispositions pour déplacer la tête dans le but de maintenir l'alignement relatif de la tête et du support d'enregistrement pendant l'opération de transduction, p.ex. pour compenser les irrégularités de surface ou pour suivre les pistes du support
596
pour suivre les pistes d'un disque
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
21
Dispositions des têtes, non spécifiques du procédé d'enregistrement ou de reproduction
02
Entraînement ou déplacement des têtes
10
Recherche de la piste ou alignement par déplacement de la tête
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
B
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
21
Dispositions des têtes, non spécifiques du procédé d'enregistrement ou de reproduction
16
Supports de têtes; Supports des douilles pour les têtes embrochables
20
agissant pendant que la tête est en position de travail, mais immobile, ou permettant de petits déplacements pour suivre les irrégularités de la surface du support d'enregistrement
21
avec des dispositions pour maintenir un écartement désiré entre la tête et le support d'enregistrement, p.ex. maintien dynamique de l'écartement à l'aide d'un fluide, à l'aide d'un coulisseau
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
09
à entrée électrique et sortie mécanique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
08
Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs
113
à entrée mécanique et sortie électrique
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
41
Dispositifs piézo-électriques en général; Dispositifs électrostrictifs en général; Dispositifs magnétostrictifs en général; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
16
Emploi de matériaux spécifiés
18
pour des éléments piézo-électriques ou électrostrictifs
187
Compositions céramiques
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
N
MACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
2
Machines électriques en général utilisant l'effet piézo-électrique, l'électrostriction ou la magnétostriction
02
produisant un mouvement linéaire, p.ex. actionneurs; Positionneurs linéaires
H ÉLECTRICITÉ
02
PRODUCTION, CONVERSION OU DISTRIBUTION DE L'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
N
MACHINES ÉLECTRIQUES NON PRÉVUES AILLEURS
2
Machines électriques en général utilisant l'effet piézo-électrique, l'électrostriction ou la magnétostriction
18
fournissant une sortie électrique à partir d'une entrée mécanique, p.ex. générateurs
Déposants :
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦三丁目9番1号 3-9-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1080023, JP
国立大学法人東京工業大学 TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY [JP/JP]; 東京都目黒区大岡山2丁目12番1号 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550, JP
Inventeurs :
政井 琢 MASAI Taku; JP
佐藤 祐介 SATO Yusuke; JP
森下 純平 MORISHITA Junpei; JP
舟窪 浩 FUNAKUBO Hiroshi; JP
清水 荘雄 SHIMIZU Takao; JP
根本 祐一 NEMOTO Yuichi; JP
Mandataire :
長谷川 芳樹 HASEGAWA Yoshiki; JP
黒木 義樹 KUROKI Yoshiki; JP
三上 敬史 MIKAMI Takafumi; JP
Données relatives à la priorité :
2015-25482025.12.2015JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC THIN FILM, PIEZOELECTRIC THIN FILM ELEMENT, PIEZOELECTRIC ACTUATOR, PIEZOELECTRIC SENSOR, HEAD ASSEMBLY, HEAD STACK ASSEMBLY, HARD DISK DRIVE, PRINTER HEAD, AND INKJET PRINTER DEVICE
(FR) FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT DE FILM MINCE PIÉZOÉLECTRIQUE, ACTIONNEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, CAPTEUR PIÉZOÉLECTRIQUE, ENSEMBLE DE TÊTE, ENSEMBLE DE PILE DE TÊTE, LECTEUR DE DISQUE DUR, TÊTE D'IMPRIMANTE ET DISPOSITIF D'IMPRIMANTE À JET D'ENCRE
(JA) 圧電薄膜、圧電薄膜素子、圧電アクチュエータ、圧電センサ、ヘッドアセンブリ、ヘッドスタックアセンブリ、ハードディスクドライブ、プリンタヘッド、及びインクジェットプリンタ装置
Abrégé :
(EN) Provided is a piezoelectric thin film having a large d31 and g31. A piezoelectric thin film 3 is superposed on a single-crystal substrate 1. The piezoelectric thin film 3 includes a crystalline oxide represented by chemical formula 1. One plane orientation of the oxide selected from the group consisting of (100), (001), (110), (101), and (111) is preferentially oriented in the normal direction DN of the single-crystal substrate 1. (1): (BixKy)TiO3 [In chemical formula 1, 0.30 ≤ x ≤ 0.60, 0.30 ≤ y ≤ 0.60, and 0.60 ≤ x + y ≤ 1.10.]
(FR) L'invention concerne un film mince piézoélectrique présentant un d31 et un g31 importants. Un film 3 mince piézoélectrique est superposé sur un substrat monocristallin 1. Le film 3 mince piézoélectrique comprend un oxyde cristallin représenté par la formule chimique 1. Une orientation de plan de l'oxyde sélectionnée dans le groupe constitué par (100), (001), (110), (101) et (111) est de préférence orientée dans la direction normale DN du substrat monocristallin 1. (1): (BixKy)TiO3 [Dans la formule chimique 1, 0,30 ≤ x ≤ 0,60, 0,30 ≤ y ≤ 0,60 et 0,60 ≤ x + y ≤ 1,10.]
(JA) 31及びg31が大きい圧電薄膜が提供される。圧電薄膜3は、単結晶基板1に重なる。圧電薄膜3は、下記化学式1で表される結晶質の酸化物を含む。(100)、(001)、(110)、(101)及び(111)からなる群より選ばれる酸化物の面方位の一つが、単結晶基板1の法線方向Dにおいて優先的に配向している。 (Bi)TiO (1) [上記化学式1中、0.30≦x≦0.60, 0.30≦y≦0.60, 0.60≦x+y≦1.10。]
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Japonais (JA)
Langue de dépôt : Japonais (JA)