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1. (WO2017053518) ÉLIMINATION DE DISLOCATIONS DE PLAN BASAL DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM PAR RECUIT À HAUTE TEMPÉRATURE ET CONSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE SURFACE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/053518    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/053018
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 22.09.2016
CIB :
H01L 21/3105 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/67 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Déposants : THE GOVERNMENT OF THE USA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 875 North Randolph Street, Suite 1425 Arlington, VA 22203 (US) (Tous Sauf US).
MAHADIK, Nadeemullah, A. [IN/US]; (US) (US only).
STAHLBUSH, Robert, E. [US/US]; (US) (US only).
IMHOFF, Eugene, A. [US/US]; (US) (US only).
TADJER, Marko, J. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : MAHADIK, Nadeemullah, A.; (US).
STAHLBUSH, Robert, E.; (US).
IMHOFF, Eugene, A.; (US).
TADJER, Marko, J.; (US)
Mandataire : BROOME, Kelly, L.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/232,642 25.09.2015 US
Titre (EN) REMOVAL OF BASAL PLANE DISLOCATIONS FROM SILICON CARBIDE SUBSTRATE SURFACE BY HIGH TEMPERATURE ANNEALING AND PRESERVING SURFACE MORPHOLOGY
(FR) ÉLIMINATION DE DISLOCATIONS DE PLAN BASAL DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM PAR RECUIT À HAUTE TEMPÉRATURE ET CONSERVATION DE LA MORPHOLOGIE DE SURFACE
Abrégé : front page image
(EN)A method and device including adding a protective layer on the surface of a substrate, annealing the substrate at a temperature approximately greater or equal to 1850°C, removing the protective layer from the surface of the substrate after the annealing, and growing a first epilayer on the substrate after the removing of the protective layer, wherein the first epilayer is grown without attempting to prevent the basal plane dislocations to propagate in the first epilayer when growing the first epilayer, and wherein the first epilayer is free of the basal plane dislocations.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif faisant intervenir l'ajout d'une couche protectrice sur la surface d'un substrat, le recuit du substrat à une température approximativement supérieure ou égale à 1850 °C, l'élimination de la couche protectrice de la surface du substrat après le recuit, et la croissance d'une première couche épitaxiale sur le substrat après l'élimination de la couche protectrice, la première couche épitaxiale étant formée sans tenter d'empêcher les dislocations de plan basal de se propager dans la première couche épitaxiale lors de la croissance de la première couche épitaxiale, la première couche épitaxiale étant exempte de dislocations de plan basal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)