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1. (WO2017053473) PRÉVENTION DE MÉLANGE DANS DES DISPOSITIFS ÉLECTROCHIMIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/053473    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/052946
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 21.09.2016
CIB :
H01M 6/40 (2006.01), H01M 4/525 (2010.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : SUN, Lizhong; (US).
WANG, Miaojun; (US).
KWAK, Byung-Sung Leo; (US)
Mandataire : JAKOPIN, David, A.; (US).
DATTA, Madhumita; (US).
MACAULAY, John, M.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/221,573 21.09.2015 US
Titre (EN) INTERMIXING PREVENTION IN ELECTROCHEMICAL DEVICES
(FR) PRÉVENTION DE MÉLANGE DANS DES DISPOSITIFS ÉLECTROCHIMIQUES
Abrégé : front page image
(EN)A thin film battery may comprise: an intermixing barrier layer on a thin substrate, such as a YSZ substrate, with a substrate thickness in the range of 10 microns to 100 microns, the intermixing barrier layer comprising one or more of AI2O3, Si3N4 and other electrically insulating layers, and in embodiments having a higher cation packing density than the substrate; a patterned current collector layer on the intermixing barrier layer; and a cathode layer, such as LCO, on the current collector layer, wherein the intermixing barrier layer, the patterned current collector and the cathode layer form a stack on the substrate; wherein the intermixing barrier layer prevents intermixing of the current collector and cathode layers, and any other layers in the stack during annealing, at a temperature in the range of 500 °C to 800 °C, with a soak time in the range of 2 to 30 hours.
(FR)Une batterie à couches minces peut comprendre : une couche barrière de mélange sur un substrat mince, tel qu'un substrat YSZ, avec une épaisseur de substrat dans une fourchette de 10 à 100 microns, la couche barrière de mélange comprenant un ou plusieurs éléments parmi AI2O3, Si3N4 et d'autres couches électro-isolantes, et selon des modes de réalisation ayant une plus grande densité de tassement de cations que le substrat; une couche de collecteur de courant à motifs sur la couche barrière de mélange; et une couche de cathode, par exemple LCO, sur la couche de collecteur de courant, laquelle couche barrière de mélange, lequel collecteur de courant à motifs et laquelle couche de cathode forment un empilement sur le substrat; laquelle couche barrière de mélange empêche le mélange du collecteur de courant et des couches de cathode, et de n'importe quelles autres couches de l'empilement pendant le recuit, à une température dans la plage allant de 500 °C à 800 °C, avec un temps d'exposition dans la plage allant de 2 à 30 heures.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)