WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017053316) PROCÉDÉS DE FORMATION DE MASQUES DE GRAVURE POUR FORMATION DE MOTIFS DE SUBSTRAT EN SOUS-RÉSOLUTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/053316    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/052694
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 20.09.2016
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01), G03F 1/70 (2012.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; Akasaka Biz Tower 3-1 Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 107-6325 (JP).
TOKYO ELECTRON U.S. HOLDINGS, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard Austin, Texas 78741 (US) (JP only)
Inventeurs : DEVILLIERS, Anton J.; (US)
Mandataire : MATHER, Joshua D.; (US)
Données relatives à la priorité :
62/232,005 24.09.2015 US
62/258,119 20.11.2015 US
Titre (EN) METHODS OF FORMING ETCH MASKS FOR SUB-RESOLUTION SUBSTRATE PATTERNING
(FR) PROCÉDÉS DE FORMATION DE MASQUES DE GRAVURE POUR FORMATION DE MOTIFS DE SUBSTRAT EN SOUS-RÉSOLUTION
Abrégé : front page image
(EN)Techniques disclosed herein provide a method and fabrication structure for pitch reduction for creating high-resolution features and also for cutting on pitch of sub-resolution features. Techniques include using multiple materials having different etch characteristics to selectively etch features and create cuts or blocks where specified. A pattern of alternating materials is formed on an underlying layer. An etch mask is positioned on the pattern of alternating materials. One or more of the alternating materials can be preferentially removed relative to other materials to uncover a portion of the underlying layer. The etch mask and the remaining lines of alternating material together form a combined etch mask defining sub-resolution features.
(FR)Les techniques selon la présente invention concernent un procédé et une structure de fabrication en vue d'une réduction de pas pour créer des caractéristiques de haute résolution et également pour réduire le pas des caractéristiques de sous-résolution. Les techniques consistent à utiliser de multiples matériaux ayant différentes caractéristiques de gravure pour graver de manière sélective les caractéristiques et créer des découpes ou des blocs lorsque spécifié. Un motif de matériaux alternés est formé sur une couche sous-jacente. Un masque de gravure est positionné sur le motif de matériaux alternés. Un ou plusieurs des matériaux alternés peuvent être de préférence retirés par rapport à d'autres matériaux pour découvrir une partie de la couche sous-jacente. Le masque de gravure et les lignes restantes de matériau alterné forment ensemble un masque de gravure combiné définissant des caractéristiques de sous-résolution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)