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1. (WO2017053120) CONDENSATEUR MÉTAL-OXYDE-MÉTAL (MOM) À COUPLAGE MAGNÉTIQUE AUX CIRCUITS VOISINS RÉDUIT ET À HAUTE FRÉQUENCE DE RÉSONANCE SÉRIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/053120    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/051358
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 12.09.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    25.07.2017    
CIB :
H01L 23/522 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : JIN, Zhang; (US).
YANG, Tao; (US).
HUNG, Tsai-Pi; (US).
FARAZIAN, Mohammad; (US)
Mandataire : FOUNTAIN, George; (US)
Données relatives à la priorité :
14/866,111 25.09.2015 US
Titre (EN) METAL-OXIDE-METAL (MOM) CAPACITOR WITH REDUCED MAGNETIC COUPLING TO NEIGHBORING CIRCUIT AND HIGH SERIES RESONANCE FREQUENCY
(FR) CONDENSATEUR MÉTAL-OXYDE-MÉTAL (MOM) À COUPLAGE MAGNÉTIQUE AUX CIRCUITS VOISINS RÉDUIT ET À HAUTE FRÉQUENCE DE RÉSONANCE SÉRIE
Abrégé : front page image
(EN)Metal-oxide-metal (MOM) type capacitors include a first terminal configured to receive a first voltage, the first terminal being formed on a first dielectric layer; a first set of fingers formed on the first dielectric layer, the first set of fingers being coupled to the first terminal via a conductive trace formed on a second dielectric layer; a second terminal configured to receive second voltage, the second terminal being formed on the first dielectric layer; and a second set of fingers formed on the first dielectric layer, the second set of fingers being coupled to the second terminal, wherein the fingers of the second set are interspersed with the fingers of the first set.
(FR)L'invention concerne des condensateurs du type métal-oxyde-métal (MOM) qui comprennent une première borne configurée pour recevoir une première tension, la première borne étant formée sur une première couche diélectrique ; un premier ensemble de doigts formé sur la première couche diélectrique, le premier ensemble de doigts étant couplé à la première borne par l'intermédiaire d'une piste conductrice formée sur une seconde couche diélectrique ; une seconde borne configurée pour recevoir une seconde tension, la seconde borne étant formée sur la première couche diélectrique ; et un second ensemble de doigts formé sur la première couche diélectrique, le second ensemble de doigts étant couplé à la seconde borne, les doigts du second ensemble étant intercalés avec les doigts du premier ensemble.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)