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1. (WO2017052644) FABRICATION DE DISPOSITIFS À NANOFILS MULTICANAUX AYANT ESPACEURS INTERNES AUTO-ALIGNÉS ET DE TRANSISTORS FINFET SOI À L'AIDE D'UN RECOUVREMENT SÉLECTIF DE NITRURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052644    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052451
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : LE, Van, H.; (US).
CLENDENNING, Scott, B.; (US).
MITAN, Martin, M.; (US).
LIAO, Szuya, S.; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) FABRICATION OF MULTI-CHANNEL NANOWIRE DEVICES WITH SELF-ALIGNED INTERNAL SPACERS AND SOI FINFETS USING SELECTIVE SILICON NITRIDE CAPPING
(FR) FABRICATION DE DISPOSITIFS À NANOFILS MULTICANAUX AYANT ESPACEURS INTERNES AUTO-ALIGNÉS ET DE TRANSISTORS FINFET SOI À L'AIDE D'UN RECOUVREMENT SÉLECTIF DE NITRURE DE SILICIUM
Abrégé : front page image
(EN)Methods of selectively nitriding surfaces of semiconductor devices are disclosed. For example, a hardmask is formed on the top portion of the fins to create SOI structure. The hardmask may be formed by nitriding the top portion of the fin. In other embodiments, silicon nitride is grown on the top portion of the fin to form the hard masks. In another example, internal spacers are formed between adjacent nanowires in a gate-all-around structure. The internal spacers may be formed by nitriding the remaining interlayer material between the channel region and source and drain regions.
(FR)L'invention concerne des procédés de nitruration sélective de surfaces de dispositifs à semi-conducteur. Par exemple, un masque dur est formé sur la partie supérieure d'ailettes afin de créer une structure silicium sur isolant (SOI). Le masque dur peut être formé par nitruration de la partie supérieure de l'ailette. Dans d'autres modes de réalisation, du nitrure de silicium est fait croître sur la partie supérieure de l'ailette afin de former le masque dur. Dans un autre exemple, des espaceurs internes sont formés entre des nanofils adjacents dans une structure à grille enveloppante. Les espaceurs internes peuvent être formés par nitruration d'un matériau d'intercouche restant entre la zone de canal et les zones de source et de drain.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)