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1. (WO2017052642) ENSEMBLE ÉLECTRONIQUE COMPRENANT DES TROUS SANS VIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052642    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052446
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 23/48 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : BOYAPATI, Sri Ranga Sai; (US).
SCHUCKMAN, Amanda E.; (US).
KANDANUR, Sashi S.; (US).
PIETAMBARAM, Srinivas; (US).
HLAD, Mark; (US).
DARMAWIKARTA, Kristof; (US)
Mandataire : SCHEER, Bradley W.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ELECTRONIC ASSEMBLY THAT INCLUDES VOID FREE HOLES
(FR) ENSEMBLE ÉLECTRONIQUE COMPRENANT DES TROUS SANS VIDE
Abrégé : front page image
(EN)A method that includes electroplating both sides of a core and the through hole of a core with a conductive material to cover both sides of the core with the conductive material and to form a conductive bridge in the through hole, wherein the core has a thickness greater than 200 microns; etching the conductive material that covers both sides of the core to reduce the thickness of the conductive material to about 1 micron; applying a film resist to the core; exposing and developing the resist film to form patterns on the conductive material on both sides of the core; and electroplating additional conductive material on the (i) conductive material on both sides of the core (ii) conductive material within the through hole; and (iii) conductive bridge to fill the through hole with conductive material without any voids and to form conductive patterns on both sides of the core.
(FR)L'invention concerne un procédé qui consiste à effectuer un dépôt électrolytique d'un matériau conducteur sur les deux côtés d'une âme et dans un trou traversant de l'âme afin de recouvrir les deux côtés de l'âme avec le matériau conducteur et de former un pont conducteur dans le trou traversant, l'âme présentant une épaisseur supérieure à 200 microns ; à graver le matériau conducteur qui recouvre les deux côtés de l'âme afin de réduire l'épaisseur du matériau conducteur à environ 1 micron ; à appliquer un film de résine photosensible sur l'âme ; à exposer et à développer le film de résine photosensible afin de former des motifs sur le matériau conducteur sur les deux côtés de l'âme ; et à effectuer un dépôt électrolytique d'un matériau conducteur supplémentaire sur (i) le matériau conducteur sur les deux côtés de l'âme ; (ii) le matériau conducteur à l'intérieur du trou traversant ; et (iii) le pont conducteur, afin de remplir le trou traversant avec un matériau conducteur sans aucun vide et de former des motifs conducteurs sur les deux côtés de l'âme.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)