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1. (WO2017052637) PROCÉDÉS DE GRAVURE DE MASQUE DUR MULTICOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052637    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052436
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95052 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
SURI, Satyarth [IN/US]; (US) (US only).
INDUKURI, Tejaswi, K. [IN/US]; (US) (US only).
OGUZ, Kaan [TR/US]; (US) (US only).
DOYLE, Brian, S. [IE/US]; (US) (US only).
O'BRIEN, Kevin, P. [US/US]; (US) (US only).
DOCZY, Mark, L. [US/US]; (US) (US only).
TURKOT, Robert, B., Jr. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : SURI, Satyarth; (US).
INDUKURI, Tejaswi, K.; (US).
OGUZ, Kaan; (US).
DOYLE, Brian, S.; (US).
O'BRIEN, Kevin, P.; (US).
DOCZY, Mark, L.; (US).
TURKOT, Robert, B., Jr.; (US)
Mandataire : CZARNECKI, Michael, S.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MULTI-LAYER HARDMASK ETCH PROCESSES
(FR) PROCÉDÉS DE GRAVURE DE MASQUE DUR MULTICOUCHE
Abrégé : front page image
(EN)Many silicon wafers include a mixture of structures including a first number of first structures, such as memory elements, having a first height and high component density and a second number of second structures, such as logic elements, having a second height that is greater than the first height and low component density. An etch process may be used to achieve the high component density using a multi-layer hardmask in which a first hardmask is formed on a surface of the semiconductor wafer. After forming the first hardmask, an etch process may be used to provide or otherwise facilitate the fabrication of a first number of first structures having a relatively high component density. A second hardmask may be selectively fabricated on at least a portion of the first hardmask. The combined thickness of first hardmask and the second hardmask may approximately equal the height of the second structures.
(FR)De nombreuses plaquettes de silicium comprennent un mélange de structures comprenant un premier nombre de premières structures, telles que des éléments de mémoire, qui présentent une première hauteur et une densité élevée de composants; et un second nombre de secondes structures, tels que des éléments logiques, qui présentent une seconde hauteur supérieure à la première hauteur et une faible densité de composants. Un procédé de gravure, utilisé pour obtenir la densité élevée de composants à l'aide d'un masque dur multicouche, consiste à former un premier masque dur sur une surface de la tranche de semi-conducteur. Après la formation du premier masque dur, un procédé de gravure est utilisé pour fournir ou faciliter par ailleurs la fabrication d'un premier nombre de premières structures présentant une densité de composants relativement élevée. Un second masque dur est fabriqué de manière sélective sur au moins une partie du premier masque dur. L'épaisseur combinée du premier masque dur et du second masque dur est approximativement égale à la hauteur des secondes structures.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)