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1. (WO2017052635) DISPOSITIF PSTTM COMPORTANT UN MATÉRIAU D'INTERFACE D'ÉLECTRODE INFÉRIEURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052635    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052430
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/02 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : OGUZ, Kaan; (US).
O'BRIEN, Kevin P.; (US).
WIEGAND, Christopher J.; (US).
RAHMAN, MD Tofizur; (US).
DOYLE, Brian S.; (US).
DOCZY, Mark L.; (US).
GOLONZKA, Oleg; (US).
GHANI, Tahir; (US).
BROCKMAN, Justin S.; (US)
Mandataire : HOWARD, James M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) PSTTM DEVICE WITH BOTTOM ELECTRODE INTERFACE MATERIAL
(FR) DISPOSITIF PSTTM COMPORTANT UN MATÉRIAU D'INTERFACE D'ÉLECTRODE INFÉRIEURE
Abrégé : front page image
(EN)MTJ material stacks, pSTTM devices employing such stacks, and computing platforms employing such pSTTM devices. In some embodiments, perpendicular MTJ material stacks include one or more electrode interface material layers disposed between a an electrode metal, such as TiN, and a seed layer of an antiferromagnetic layer or synthetic antiferromagnetic (SAF) stack. The electrode interface material layers may include either or both of a Ta material layer or CoFeB material layer. In some Ta embodiments, a Ru material layer may be deposited on a TiN electrode surface, followed by the Ta material layer. In some CoFeB embodiments, a CoFeB material layer may be deposited directly on a TiN electrode surface, or a Ta material layer may be deposited on the TiN electrode surface, followed by the CoFeB material layer.
(FR)L'invention concerne des empilements de matériaux de jonction tunnel magnétique (JTM), des dispositifs pSTTM utilisant de tels empilements et des plates-formes informatiques utilisant de tels dispositifs pSTTM. Dans certains modes de réalisation, les empilements de matériaux JTM perpendiculaires comprennent une ou plusieurs couches de matériau d'interface d'électrode placée(s) entre un métal d'électrode, tel que TiN, et une couche d'ensemencement d'une couche antiferromagnétique ou d'un empilement antiferromagnétique synthétique (SAF). Les couches du matériau d'interface d'électrode peuvent comprendre une couche de matériau de Ta et/ou une couche de matériau de CoFeB. Dans certains modes de réalisation utilisant Ta, une couche de matériau de Ru peut être déposée sur une surface d'électrode de TiN, suivie d'une couche de matériau de Ta. Dans certains modes de réalisation utilisant CoFeB, une couche de matériau de CoFeB peut être déposée directement sur une surface d'électrode de TiN, ou une couche de matériau de Ta peut être déposée sur la surface d'électrode de TiN, suivie de la couche de matériau de CoFeB.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)