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1. (WO2017052630) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONTACTS DE SOURCE/DRAIN ENVELOPPANTS POUR MÉTALLISATIONS CÔTÉ ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052630    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052382
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : MORROW, Patrick; (US).
JUN, Kimin; (US).
SON, Il-Seok; (US).
NELSON, Donald W.; (US)
Mandataire : BRASK, Justin, K.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) WRAP-AROUND SOURCE/DRAIN METHOD OF MAKING CONTACTS FOR BACKSIDE METALS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONTACTS DE SOURCE/DRAIN ENVELOPPANTS POUR MÉTALLISATIONS CÔTÉ ARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus including a circuit structure including a first side including a device layer including a plurality of devices and an opposite second side; an electrically conductive contact coupled to one of the plurality of devices on the first side; and an electrically conductive interconnect disposed on the second side of the structure and coupled to the conductive contact. A method including forming a transistor device including a channel between a source and a drain and a gate electrode on the channel defining a first side of the device; forming an electrically conductive contact to one of the source and the drain from the first side; and forming an interconnect on a second side of the device, wherein the interconnect is coupled to the contact.
(FR)L'invention concerne un appareil comprenant une structure de circuit présentant un premier côté qui comprend une couche de dispositifs comprenant une pluralité de dispositifs et un second côté opposé; un contact électroconducteur couplé à un dispositif de la pluralité de dispositifs sur le premier côté; et une interconnexion électroconductrice disposée sur le second côté de la structure et couplée au contact conducteur. L'invention concerne également un procédé comprenant la formation d'un dispositif transistor comprenant un canal entre une source et un drain et une électrode de grille sur le canal définissant un premier côté du dispositif; la formation d'un contact électroconducteur soit sur la source soit sur le drain à partir du premier côté; et la formation d'une interconnexion sur un second côté du dispositif, l'interconnexion étant couplée au contact.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)