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1. (WO2017052627) DISPOSITIFS DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE CONTRAINTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052627    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052376
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 (US)
Inventeurs : MADRAS, Prashanth P.; (US).
RAHMAN, MD Tofizur; (US).
WIEGAND, Christopher J.; (US).
MAERTZ, Brian; (US).
GOLONZKA, Oleg; (US).
O'BRIEN, Kevin P.; (US).
DOCZY, Mark L.; (US).
DOYLE, Brian S.; (US).
GHANI, Tahir; (US).
OGUZ, Kaan; (US)
Mandataire : HOWARD, James M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) STRAINED PERPENDICULAR MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICES
(FR) DISPOSITIFS DE JONCTION TUNNEL MAGNÉTIQUE PERPENDICULAIRE CONTRAINTE
Abrégé : front page image
(EN)MTJ material stacks with a laterally strained free magnetic layer, STTM devices employing such stacks, and computing platforms employing such STTM devices. In some embodiments, perpendicular pMTJ material stacks included free magnetic layers that are compressively strained laterally by a surrounding material, which increases coercive field strength for a more stable device. In some embodiments, a pMTJ material stack is encased in a compressive-stressed material. In some further embodiments, a pMTJ material stack is encased first in a dielectric shell, permitting a conductive material to be deposited over the shell as the compressive-stressed, strain-inducing material layer.
(FR)L'invention concerne des empilements de matériaux JTM dotés d'une couche magnétique libre latéralement contrainte, des dispositifs STTM utilisant de tels empilements, et des plates-formes informatiques utilisant de tels dispositifs STTM. Selon certains modes de réalisation, des empilements de matériaux pMTJ perpendiculaires incluent des couches magnétiques libres qui sont latéralement contraintes par compression par un matériau l'entourant, ce qui augmente le champ coercitif pour un dispositif plus stable. Selon certains modes de réalisation, un empilement de matériaux pMTJ est enfermé dans un matériau contraint par compression. Selon certains autres modes de réalisation, un empilement de matériaux pMTJ est enfermé tout d'abord dans une enveloppe diélectrique, ce qui permet à un matériau conducteur d'être déposé au-dessus de l'enveloppe en tant que couche de matériau induisant une contrainte et contrainte par compression.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)