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1. (WO2017052621) CELLULE DE MÉMOIRE À CONDUCTION ASYMÉTRIQUE POUR RÉDUIRE LA TENSION DE FONCTIONNEMENT MINIMALE D'ÉCRITURE (WVMIN) ET LA CONSOMMATION D'ÉNERGIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052621    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052352
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 27/11 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054 (US) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
MORRIS, Daniel H. [US/US]; (US) (US only).
AVCI, Uygar E. [US/US]; (US) (US only).
YOUNG, Ian A. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : MORRIS, Daniel H.; (US).
AVCI, Uygar E.; (US).
YOUNG, Ian A.; (US)
Mandataire : THOMPSON, Kenneth M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) MEMORY CELL WITH ASYMMETRIC CONDUCTION TO REDUCE WRITE MINIMUM OPERATING VOLTAGE (WVMIN) AND POWER CONSUMPTION
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE À CONDUCTION ASYMÉTRIQUE POUR RÉDUIRE LA TENSION DE FONCTIONNEMENT MINIMALE D'ÉCRITURE (WVMIN) ET LA CONSOMMATION D'ÉNERGIE
Abrégé : front page image
(EN)Techniques for providing asymmetric conduction within an SRAM bit cell are provided and may substantially reduce energy consumption during write operations, and may also reduce the write minimum operation voltage (WVmin) for an SRAM device. In particular, some aspects disclosed herein include modifying or otherwise providing pull-up transistors configured to asymmetrically conduct to prevent current flow in a reverse direction, and more particularly, to prevent or otherwise mitigate current flowing back to Vcc during write operations. This can reduce voltage swings that would otherwise occur as internal bit cell nodes Q/Q# discharge, and thus, may reduce overall power consumption. The asymmetrical conducting characteristics may further reduce the magnitude of disturb currents within unselected cells (e.g., cells not selected for writes) and thus prevent the loss of data through inadvertent writes.
(FR)L'invention concerne des techniques permettant d'assurer une conduction asymétrique à l'intérieur d'une cellule binaire à mémoire vive statique (SRAM) et pouvant sensiblement réduire la consommation d'énergie pendant des opérations d'écriture, et également la tension de fonctionnement minimale d'écriture (WVmin) pour un dispositif SRAM. En particulier, certains aspects de l'invention consistent à modifier ou sinon à fournir les transistors d'excursion haute conçus pour une conduction asymétrique afin d'empêcher le courant de s'écouler dans une direction inverse, et plus particulièrement, empêcher ou sinon limiter le courant revenant vers Vcc pendant les opérations d'écriture. Ceci peut réduire les écarts de tension qui pourraient sinon se produire lorsque des noeuds internes Q/Q # de cellules binaires se déchargent, et donc réduire la consommation globale d'énergie. Les caractéristiques de conduction asymétrique permettent en outre de réduire l'intensité de courants perturbateurs à l'intérieur des cellules non sélectionnées (par exemple, des cellules non sélectionnées pour des écritures) et, de ce fait, empêcher la perte de données par des écritures effectuées par inadvertance.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)