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1. (WO2017052619) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À MOBILITÉ ÉLEVÉE DOTÉS D'UNE SOURCE ET D'UN DRAIN DE SEMI-CONDUCTEUR RÉTROGRADÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052619    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052345
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : DEWEY, Gilbert; (US).
RACHMADY, Willy; (US).
METZ, Matthew V.; (US).
MOHAPATRA, Chandra S.; (US).
MA, Sean T.; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
MURTHY, Anand S.; (US).
GHANI, Tahir; (US)
Mandataire : HOWARD, James M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH MOBILITY FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH A RETROGRADED SEMICONDUCTOR SOURCE/DRAIN
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP À MOBILITÉ ÉLEVÉE DOTÉS D'UNE SOURCE ET D'UN DRAIN DE SEMI-CONDUCTEUR RÉTROGRADÉS
Abrégé : front page image
(EN)Monolithic FETs including a channel region of a first semiconductor material disposed over a substrate. While a mask, such as a gate stack or sacrificial gate stack, is covering the channel region, an impurity-doped compositionally graded semiconductor is grown, for example on at least a drain end of the channel region to introduce a carrier-blocking conduction band offset and/or a wider band gap within the drain region of the transistor. In some embodiments, the compositional grade induces a carrier-blocking band offset of at least 0.25 eV. The wider band gap and/or band offset contributes to a reduced gate induced drain leakage (GIDL). The impurity-doped semiconductor may be compositionally graded back down from the retrograded composition to a suitably narrow band gap material providing good ohmic contact. In some embodiments, the impurity-doped compositionally graded semiconductor growth is integrated into a gate-last, source/drain regrowth finFET fabrication process.
(FR)L'invention concerne des transistors à effet de champ monolithiques comprenant une région de canal d'un premier matériau semi-conducteur disposée sur un substrat. Tandis qu'un masque, tel qu'un empilement de grilles ou un empilement de grilles sacrificiel, recouvre la région de canal, un semi-conducteur à qualité de composition dopé en impuretés est mis à croître, par exemple sur au moins une extrémité de drain de la région de canal pour introduire un décalage de bande de conduction de blocage de porteur et/ou une bande interdite plus large à l'intérieur de la région de drain du transistor. Selon certains modes de réalisation, la qualité de composition induit un décalage de bande de blocage de porteur d'au moins 0,25 eV. Le décalage de bande et/ou la bande interdite plus large contribuent à réduire la fuite de drain induite par la grille (GIDL). Le semi-conducteur dopé en impuretés peut être déclassé en termes de composition en-deça de la composition rétrogradée vers un matériau à bande interdite étroite appropriée assurant un bon contact ohmique. Selon certains modes de réalisation, la croissance du semi-conducteur à qualité de composition dopé en impuretés est intégrée dans un procédé de fabrication de transistor finFET de reformation de source/drain, avec grille en dernier.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)