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1. (WO2017052608) TRANSISTORS À MOBILITÉ D’ÉLECTRONS ÉLEVÉE AVEC BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT CONTRE-DOPÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052608    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052299
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 29/778 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : MOHAPATRA, Chandra S.; (US).
KENNEL, Harold W.; (US).
METZ, Matthew V.; (US).
DEWEY, Gilbert; (US).
RACHMADY, Willy; (US).
MURTHY, Anand S.; (US).
KAVALIEROS, Jack T.; (US).
GHANI, Tahir; (US)
Mandataire : HOWARD, James M.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH COUNTER-DOPED DOPANT DIFFUSION BARRIER
(FR) TRANSISTORS À MOBILITÉ D’ÉLECTRONS ÉLEVÉE AVEC BARRIÈRE DE DIFFUSION DE DOPANT CONTRE-DOPÉE
Abrégé : front page image
(EN)III-V compound semiconductor devices, such transistors, may be formed in active regions of a III-V semiconductor material disposed over a silicon substrate. A counter-doped portion of a III-V semiconductor material provides a diffusion barrier retarding diffusion of silicon from the substrate into III-V semiconductor material where it might otherwise behave as electrically active amphoteric contaminate in the III-V material. In some embodiments, counter-dopants (e.g., acceptor impurities) are introduced in-situ during epitaxial growth of a base portion of a sub-fin structure. With the counter-doped region limited to a base of the sub-fin structure, risk of the counter-dopant atoms thermally diffusing into an active region of a III-V transistor is mitigated.
(FR)La présente invention concerne des dispositifs à semi-conducteur à composé III-V, tels que des transistors, qui peuvent être formés dans des régions actives d’un matériau semi-conducteur III-V disposées sur un substrat de silicium. Une partie contre-dopée d’un matériau semi-conducteur III-V forme une barrière de diffusion retardant la diffusion du silicium depuis le substrat dans le matériau semi-conducteur III-V où il pourrait autrement se comporter en tant que contaminant amphotère électriquement actif dans le matériau III-V. Dans certains modes de réalisation, des contre-dopants (par exemple, des impuretés de type accepteur) sont introduites in situ pendant la croissance épitaxiale d’une partie de base d’une structure de sous-nervure. Avec la contre-région dopée limitée à une base de la structure de sous-nervure, le risque de diffusion thermique des atomes de contre-dopant dans une région active d’un transistor III-V est réduit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)