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1. (WO2017052605) BARRIÈRE DE DIFFUSION DE COUCHE DE REDISTRIBUTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052605    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052289
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 23/48 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, California 95052 (US)
Inventeurs : CHANG, Hsiao-Kang; (US).
INGERLY, Doug B.; (US).
JEONG, James Y.; (US).
BHATIA, Ashish; (US)
Mandataire : CZARNECKI, Michael S.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) REDISTRIBUTION LAYER DIFFUSION BARRIER
(FR) BARRIÈRE DE DIFFUSION DE COUCHE DE REDISTRIBUTION
Abrégé : front page image
(EN)Three-dimensional integrated circuits include a number of stacked and interconnected dies. At times, the solder used to connect the dies can attack the interconnect points, particularly when such interconnect points include copper-containing materials. In such instances, the formation of intermetallic compounds as a consequence of the chemical attack of the copper containing structure by the liquefied solder may be reduced or even eliminated through the use of a diffusion barrier. The diffusion barrier may be disposed across all or a portion of the exposed surface of copper containing structures such as redistribution layers on a first die. A dielectric layer may be disposed across the diffusion barrier and an electrically conductive path that includes an aperture through the dielectric layer may be provided. An electrically conductive path that includes a solder-wettable material may be disposed on the diffusion barrier.
(FR)L'invention concerne des circuits intégrés tridimensionnels qui comprennent un certain nombre de puces empilées et interconnectées. Dans certains cas, la brasure utilisée pour connecter les puces peut attaquer les points d'interconnexion, en particulier quand ces points d'interconnexion comprennent des matériaux contenant du cuivre. Dans ce cas, la formation de composés intermétalliques en conséquence de l'attaque chimique de la structure contenant du cuivre par la brasure liquéfiée peut être réduite ou même éliminée par utilisation d'une barrière de diffusion. La barrière de diffusion peut être disposée sur l'ensemble ou une partie de la surface apparente des structures contenant du cuivre, telles que des couches de redistribution sur une première puce. Une couche diélectrique peut être disposée sur l'ensemble de la barrière de diffusion et un chemin électroconducteur, qui comprend une ouverture à travers la couche diélectrique, peut être ménagé. Un chemin électroconducteur qui comprend un matériau mouillable par la brasure peut être disposé sur la barrière de diffusion.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)