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1. (WO2017052586) RÉSEAU DE MÉMOIRE HAUTE DENSITÉ DOTÉ D'UN TROU D'INTERCONNEXION AUTOALIGNÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052586    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/052210
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 43/02 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : LEE, Kevin J.; (US).
WANG, Yih; (US)
Mandataire : RICHARDS, E.E., "Jack", II; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) HIGH DENSITY MEMORY ARRAY WITH SELF-ALIGNED VIA
(FR) RÉSEAU DE MÉMOIRE HAUTE DENSITÉ DOTÉ D'UN TROU D'INTERCONNEXION AUTOALIGNÉ
Abrégé : front page image
(EN)An embodiment includes an apparatus comprising: a first semiconductor fin parallel to a second semiconductor fin; a first source line oblique to the first and second fins; a first contact coupling a first drain node of the first fin to a first magnetic tunnel junction (MTJ) and a second contact coupling a second drain node of the second fin to a second MTJ; wherein (a) a first vertical axis intersects the first fin and the first source line and a second vertical axis intersects the second fin and the first source line; and (b) the first contact includes sidewalls parallel to the first fin and additional sidewalls orthogonal to the first source line and the second contact includes sidewalls parallel to the second fin and additional sidewalls orthogonal to the first source line. Other embodiments are described herein.
(FR)Un mode de réalisation selon l'invention comprend un appareil comprenant : une première ailette à semi-conducteur parallèle à une seconde ailette à semi-conducteur ; une première ligne de source oblique par rapport aux première et seconde ailettes ; un premier contact couplant un premier nœud de drain de la première ailette à une première jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) et un second contact couplant un second nœud de drain de la seconde ailette à une seconde MTJ ; (a) un premier axe vertical coupant la première ailette et la première ligne de source et un second axe vertical coupant la seconde ailette et la première ligne de source ; et (b) le premier contact comprenant des parois latérales parallèles à la première ailette et des parois latérales supplémentaires orthogonales à la première ligne de source et le second contact comprenant des parois latérales parallèles à la seconde ailette et des parois latérales supplémentaires orthogonales à la première ligne de source. D'autres modes de réalisation sont décrits ici.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)