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1. (WO2017052557) TECHNIQUES DE FORMATION DE DISPOSITIF SOI SUR UN SUBSTRAT VIRTUEL, ET CONFIGURATIONS ASSOCIÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052557    N° de la demande internationale :    PCT/US2015/051994
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 24.09.2015
CIB :
H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054 (US)
Inventeurs : JUN, Kimin; (US).
KIM, Seiyon; (US).
FISCHER, Paul B.; (US).
SON, Il-Seok; (US).
MORROW, Patrick; (US)
Mandataire : DANSKIN, Timothy A.; (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) TECHNIQUES FOR SOI DEVICE FORMATION ON A VIRTUAL SUBSTRATE, AND ASSOCIATED CONFIGURATIONS
(FR) TECHNIQUES DE FORMATION DE DISPOSITIF SOI SUR UN SUBSTRAT VIRTUEL, ET CONFIGURATIONS ASSOCIÉES
Abrégé : front page image
(EN)Embodiments of the present disclosure describe techniques for silicon-on- insulator (SOI) device formation in an integrated circuit (IC) device, and associated configurations. A method of fabricating an SOI structure may include forming a device stack for an IC device on a bulk wafer, removing the bulk wafer from a first side of the device stack, and bonding the first side of the device stack with an insulator layer on a carrier wafer. Other embodiments may be described and/or claimed.
(FR)La présente invention concerne, selon divers modes de réalisation, des techniques de formation de dispositif silicium sur isolant (SOI) dans un dispositif à circuit intégré (CI), et des configurations associées. Un procédé de fabrication d'une structure SOI peut comprendre la formation d'un empilement de dispositif pour un dispositif CI sur une tranche massive, l'élimination de la tranche massive d'un premier côté de l'empilement de dispositif, et le collage du premier côté de l'empilement de dispositif à une couche isolante sur une tranche de support. D'autres modes de réalisation peuvent être décrits et/ou revendiqués.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)