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1. (WO2017052125) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'ACTIONNEMENT D'UNE TCAM BASÉE SUR UNE SRAM AVEC UN NOMBRE DE BITS ACCRU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/052125    N° de la demande internationale :    PCT/KR2016/010215
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 09.09.2016
CIB :
G11C 15/04 (2006.01), G11C 11/41 (2006.01), G11C 8/04 (2006.01), G11C 8/06 (2006.01), G11C 8/18 (2006.01), G11C 15/00 (2006.01)
Déposants : INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY ERICA CAMPUS [KR/KR]; 55, Hanyang Daehak-ro, Sangrok-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15588 (KR)
Inventeurs : ALI, Ahmed; (PK).
BAEG, Sang Hyeon; (KR)
Mandataire : YANG, Sungbo; (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2015-0134450 23.09.2015 KR
Titre (EN) METHOD AND SYSTEM FOR OPERATING SRAM-BASED TCAM WITH INCREASED NUMBER OF BITS
(FR) PROCÉDÉ ET SYSTÈME D'ACTIONNEMENT D'UNE TCAM BASÉE SUR UNE SRAM AVEC UN NOMBRE DE BITS ACCRU
(KO) 비트 수를 증가시킨 SRAM 기반 TCAM의 동작 방법 및 시스템
Abrégé : front page image
(EN)A method for operating a static random access memory (SRAM)-based ternary content addressable memory (TCAM) with increased number of bits comprises: a step of receiving input data; a step of dividing the input data into a plurality of sub-keys on the basis of the number of virtual blocks divided from an SRAM; a step of sequentially applying the plurality of sub-keys to the virtual blocks; and a step of outputting a specific address value corresponding to the input data on the basis of the application result.
(FR)L'invention concerne un procédé d'actionnement d'une mémoire associative ternaire (TCAM) basée sur une mémoire vive statique (SRAM), avec un nombre accru de bits, comprenant les étapes suivantes : réception de données d'entrée ; division des données d'entrée en une pluralité de clés secondaires sur la base du nombre de blocs virtuels divisés à partir d'une SRAM ; application séquentielle de la pluralité de clés secondaires aux blocs virtuels ; et délivrance en sortie d'une valeur d'adresse spécifique correspondant aux données d'entrée sur la base du résultat de l'application.
(KO)비트 수를 증가시킨 SRAM(Static Random Access Memory) 기반 TCAM(Ternary Content Addressable Memory)의 동작 방법은 입력 데이터를 수신하는 단계; SRAM이 분할된 가상의 블록들의 개수에 기초하여 상기 입력 데이터를 복수의 서브 키들로 분할하는 단계; 상기 가상의 블록들에 상기 복수의 서브 키들을 순차적으로 적용하는 단계; 및 상기 적용 결과에 기초하여 상기 입력 데이터에 대응하는 특정 어드레스 값을 출력하는 단계를 포함한다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)