WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017051874) ÉLÉMENT À ONDES ACOUSTIQUES ET DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/051874    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/078030
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 23.09.2016
CIB :
H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Déposants : KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501 (JP)
Inventeurs : TANAKA, Hiroyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-188134 25.09.2015 JP
Titre (EN) ACOUSTIC WAVE ELEMENT AND ACOUSTIC WAVE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À ONDES ACOUSTIQUES ET DISPOSITIF À ONDES ACOUSTIQUES
(JA) 弾性波素子および弾性波装置
Abrégé : front page image
(EN)This acoustic wave element is provided with: a substrate 2; and an IDT electrode 3 located on the upper surface of the substrate 2, the IDT electrode 3 including a first bus bar 31a, a second bus bar 31b positioned so that a spacing is present with respect to the first bus bar 31a in a first direction, a plurality of first electrode fingers 32a connected to the first bus bar 31a, a plurality of second electrode fingers 32b connected to the second bus bar 31b, and second dummy electrode fingers 33b facing the tip of the first electrode fingers 32a across a gap. The second electrode fingers 32b are thicker in the region on the second bus bar 31b side of a first virtual line L1 linking the tips of a plurality of first electrode fingers 32a than in the region on the first bus bar 31a side of the first virtual line L1.
(FR)La présente invention concerne un élément à ondes acoustiques qui comporte : un substrat (2) ; et une électrode IDT (3) disposée sur la surface supérieure du substrat (2), l'électrode IDT (3) comprenant une première barre omnibus (31a), une seconde barre omnibus (31b) placée de sorte qu'un espacement soit présent par rapport à la première barre omnibus (31a) dans une première direction, une pluralité de premiers doigts d'électrode (32a) connectés à la première barre omnibus (31a), une pluralité de seconds doigts d'électrode (32b) connectés à la seconde barre omnibus (31b) et des seconds doigts d'électrode factices (33b) faisant face à la pointe des premiers doigts d'électrode (32a) à travers un interstice. Les seconds doigts d'électrode (32b) sont plus épais dans la région sur le côté seconde barre omnibus (31b) d'une première ligne virtuelle (L1) reliant les pointes d'une pluralité de premiers doigts d'électrode (32a) que dans la région sur le côté première barre omnibus (31a) de la première ligne virtuelle (L1).
(JA)本発明の弾性波素子は、基板2と、基板2の上面に位置し、第1バスバー31aと、第1バスバー31aと第1方向に間隔を開けて配置された第2バスバー31bと、第1バスバー31aに接続された複数の第1電極指32aと、第2バスバー31bに接続された複数の第2電極指32bと、第1電極指32aの先端にギャップを介して対向する第2ダミー電極指33bと、を含むIDT電極3と、備える。第2電極指32bは、複数の第1電極指32aの先端を結ぶ第1仮想線L1よりも第2バスバー31bの側の領域の太さが、第1仮想線L1よりも第1バスバー31aの側の領域の太さよりも太い。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)