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1. (WO2017051681) ÉLÉMENT PIÉZO-ÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET ACTIONNEUR PIÉZOÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/051681    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/075678
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 01.09.2016
CIB :
H01L 41/09 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G02B 26/08 (2006.01), G02B 26/10 (2006.01), H01L 41/047 (2006.01), H01L 41/053 (2006.01), H01L 41/23 (2013.01), H01L 41/29 (2013.01), H01L 41/332 (2013.01), G02B 27/48 (2006.01)
Déposants : MITSUMI ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 2-11-2, Tsurumaki, Tama-shi, Tokyo 2068567 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
AKIYAMA, Noriyuki [JP/JP]; (JP) (US only).
NAKAMURA, Akira [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : AKIYAMA, Noriyuki; (JP).
NAKAMURA, Akira; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadashige; (JP).
ITOH, Tadahiko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-186565 24.09.2015 JP
Titre (EN) PIEZOELECTRIC ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING SAME AND PIEZOELECTRIC ACTUATOR
(FR) ÉLÉMENT PIÉZO-ÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI ET ACTIONNEUR PIÉZOÉLECTRIQUE
(JA) 圧電素子及びその製造方法、圧電アクチュエータ
Abrégé : front page image
(EN)This piezoelectric element comprises a substrate, a lower electrode that is formed on the substrate, a piezoelectric film that is formed on the lower electrode, and an upper electrode that is formed on the piezoelectric film. The upper electrode is formed on a surface that has been subjected to planarization.
(FR)L'invention concerne un élément piézo-électrique comprenant : un substrat ; une électrode inférieure qui est formée sur le substrat ; un film piézoélectrique qui est formé sur l'électrode inférieure ; et une électrode supérieure qui est formée sur le film piézoélectrique. L'électrode supérieure est formée sur une surface qui a été soumise à une planarisation.
(JA)本圧電素子は、基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された圧電膜と、前記圧電膜上に形成された上部電極と、を有し、前記上部電極は、平坦化処理が施された面に形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)