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1. (WO2017051635) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
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N° de publication : WO/2017/051635 N° de la demande internationale : PCT/JP2016/073889
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 16.08.2016
CIB :
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
Inventeurs : MORI, Takeshi; --
ISHII, Masahito; --
OKAMOTO, Chikao; --
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Données relatives à la priorité :
2015-18652124.09.2015JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 半導体基板、光電変換素子、半導体基板の製造方法および光電変換素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN) This semiconductor substrate is provided with, in the surface thereof, a plurality of protruding sections (11) and recessed sections (12) among the protruding sections (11). Each of the protruding sections (11) is provided with sloped surfaces (11c). Each of the recessed sections (12) is provided with the bottom of a bent surface. The angle of the sloped surfaces (11c) of the protruding sections (11) is larger than 49.5° but equal to or smaller than 55.2°. The curvature radius of the bent surface of each of the recessed sections (12) is larger than 13 nm.
(FR) La présente invention concerne un substrat semi-conducteur qui est pourvu de, dans la surface de celui-ci, une pluralité de sections saillantes (11) et de sections évidées (12) parmi les sections saillantes (11). Chacune des sections saillantes (11) est pourvue de surfaces inclinées (11c). Chacune des sections évidées (12) est pourvue d’un fond ayant une surface courbée. L’angle des surfaces inclinées (11c) des sections saillantes (11) est supérieur à 49,5° mais égal ou inférieur à 55,2°. Le rayon de courbure de la surface courbée de chacune des sections évidées (12) est supérieur à 13 nm.
(JA) 半導体基板は、複数の凸部(11)と、凸部(11)の間の凹部(12)とを表面に備えている。凸部(11)は傾斜面(11c)を備えている。凹部(12)は曲面の底を備えている。凸部(11)は傾斜面(11c)の角度が49.5°よりも大きく55.2°以下である。凹部(12)の曲面の曲率半径が13nmよりも大きい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)