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1. (WO2017051579) DISPOSITIF DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE FILM ET PROCÉDÉ DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE FILM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/051579    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/068845
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 24.06.2016
CIB :
G01B 15/02 (2006.01), G01B 11/06 (2006.01)
Déposants : SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585 (JP).
OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP)
Inventeurs : TAKASE Yasuhiro; (JP).
NAKANISHI Hidetoshi; (JP).
KINOSE Kazuo; (JP).
KONO Motohiro; (JP).
KAWAYAMA Iwao; (JP).
TONOUCHI Masayoshi; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-188381 25.09.2015 JP
Titre (EN) FILM THICKNESS MEASURING DEVICE AND FILM THICKNESS MEASURING METHOD
(FR) DISPOSITIF DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE FILM ET PROCÉDÉ DE MESURE D'ÉPAISSEUR DE FILM
(JA) 膜厚測定装置及び膜厚測定方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a technique for performing a film thickness inspection on a film including an active material formed on a current collector in a non-contact manner during a process of manufacturing a lithium-ion battery. This film thickness measuring device 1 is provided with: a terahertz wave emission unit 10 that emits a terahertz wave LT1 to a sample 9; and a reflected wave detection unit 30A provided with a photoconductive switch 34A that detects reflected waves LT3 of the terahertz wave LT1 reflected at the sample 9. The film thickness measuring device 1 is provided with: a time difference acquisition module 509 that acquires a time difference Δt required to reach the photoconductive switch 34A between, of the reflected waves LT3 detected by the reflected wave detection unit 30A, a surface reflected wave LT31 reflected at the surface of an active material film 91 in the sample 9 and an interface reflected wave LT32 reflected at the interface between the active material film 91 and the current collector 93 in the sample 9; and a film thickness calculation unit 511 that calculates the film thickness d of the active material film 91 on the basis of the time difference Δt and the refractive index nS of the active material film 91.
(FR)L'invention concerne une technique permettant de réaliser une inspection de l'épaisseur de film sur un film comprenant un matériau actif formé sur un collecteur de courant de manière sans contact au cours d'un processus de fabrication d'une batterie au lithium-ion. Ce dispositif (1) de mesure d'épaisseur de film est pourvu de : une unité d'émission d'onde térahertz (10) qui émet une onde térahertz LT1 vers un échantillon (9) ; et une unité de détection d'ondes réfléchies (30A) pourvue d'un commutateur photoconducteur (34A) qui détecte des ondes réfléchies LT3 de l'onde térahertz LT1 réfléchie au niveau de l'échantillon 9. Le dispositif (1) de mesure d'épaisseur de film est pourvu de : un module d'acquisition de différence de temps (509) qui acquiert une différence de temps Δt nécessaire pour atteindre le commutateur photoconducteur (34A) entre, parmi les ondes réfléchies LT3 détectées par l'unité de détection d'ondes réfléchies (30A), une onde réfléchie de surface LT31 réfléchie au niveau de la surface d'un film de matériau actif (91) dans l'échantillon (9) et une onde réfléchie d'interface LT32 réfléchie au niveau de l'interface entre le film de matériau actif (91) et le collecteur de courant (93) dans l'échantillon (9) ; et une unité de calcul d'épaisseur de film (511) qui calcule l'épaisseur du film d du film de matériau actif (91) sur la base de la différence de temps Δt et de l'indice de réfraction nS du film de matériau actif (91).
(JA) リチウムイオン電池の製造工程において、集電体に形成された活物質材料を含む膜の膜厚検査を非接触で行う技術を提供する。膜厚測定装置1は、テラヘルツ波LT1を試料9に照射するテラヘルツ波照射部10と、試料9で反射したテラヘルツ波LT1の反射波LT3を検出する光伝導スイッチ34Aを備えた反射波検出部30Aを備える。膜厚測定装置1は、反射波検出部30Aによって検出された反射波LT3のうち、試料9における活物質膜91の表面で反射した表面反射波LT31と、試料9における活物質膜91と集電体93との界面で反射した界面反射波LT32との、光伝導スイッチ34Aに到達する時間差Δtを取得する時間差取得モジュール509と、時間差Δtおよび活物質膜91の屈折率nSに基づいて、活物質膜91の膜厚dを算出する膜厚算出部511とを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)