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1. (WO2017051527) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/051527    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/004240
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 16.09.2016
CIB :
H01L 27/105 (2006.01), H01L 45/00 (2006.01), H01L 49/00 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP)
Inventeurs : SAKAMOTO, Toshitsugu; (JP).
TADA, Munehiro; (JP)
Mandataire : SHIMOSAKA, Naoki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-186356 24.09.2015 JP
Titre (EN) RESISTANCE CHANGING ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉLÉMENT À RÉSISTANCE VARIABLE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 抵抗変化素子とその製造方法および半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to enable manufacture of a metal-precipitating resistance changing element in which variations in program voltage and high-resistance-state leak current are decreased while decreasing the program voltage. The resistance changing element of the present invention comprises: a first insulating film disposed on a semiconductor substrate having a transistor formed therein; first and second electrodes which are embedded in the first insulating film and which supply metal ions; a second insulating film covering the first insulating film and the first and second electrodes; first and second opening portions which expose a part of upper surfaces of the first and second electrodes including end portions thereof from the second insulating film while having translation symmetry; metal-precipitating first and second resistance changing films which respectively cover the first and second opening portions and which are connected, in the opening portions, to the part of the upper surfaces of the first and second electrodes including the end portions; third and fourth electrodes respectively connected to the upper surfaces of the first and second resistance changing films; and a fifth electrode connected to the third and fourth electrodes and to a diffusion layer of the transistor.
(FR)L’objectif de la présente invention est de permettre la fabrication d’un élément à résistance variable à précipitation de métal dans lequel des variations de tension de programme et de courant de fuite d’état à résistance élevée sont diminuées tout en diminuant la tension de programme. L’élément à résistance variable de la présente invention comprend : un premier film isolant disposé sur un substrat semi-conducteur comportant un transistor formé dans celui-ci ; des première et deuxième électrodes qui sont incorporées dans le premier film isolant et qui fournissent des ions métalliques ; un deuxième film isolant recouvrant le premier film isolant et les première et deuxième électrodes ; des première et deuxième parties d’ouverture qui exposent une partie des surfaces supérieures des première et deuxième électrodes comprenant des parties d’extrémité de celles-ci du deuxième film isolant tout en ayant une symétrie de translation ; des premier et deuxième films à résistance variable à précipitation de métal qui recouvrent respectivement les première et deuxième parties d’ouverture et qui sont connectés, dans les parties d’ouverture, à la partie des surfaces supérieures des première et deuxième électrodes comprenant les parties d’extrémité ; des troisième et quatrième électrodes respectivement connectées aux surfaces supérieures des premier et deuxième films à résistance variable ; et une cinquième électrode connectée aux troisième et quatrième électrodes et à une couche de diffusion du transistor.
(JA)本発明は、プログラム電圧を低減しつつプログラム電圧および高抵抗状態のリーク電流のバラツキを低減した、金属析出型の抵抗変化素子を製造できるようにすることを目的とする。本発明の抵抗変化素子は、トランジスタの形成された半導体基板上に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜に埋め込まれ、金属イオンを供給する第1と第2の電極と、前記第1の絶縁膜と前記第1と第2の電極とを覆う第2の絶縁膜と、前記第1と第2の電極の端部を含む上面の一部を、並進対称性を有して前記第2の絶縁膜から露出させる第1と第2の開口部と、前記第1と第2の開口部を各々覆い、前記開口部で前記第1と第2の電極の前記端部を含む前記上面の一部に接続する金属析出型の第1と第2の抵抗変化膜と、前記第1と第2の抵抗変化膜の上面に各々接続する第3と第4の電極と、前記第3と第4の電極とに接続し、前記トランジスタの拡散層に接続する第5の電極と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)