WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017051464) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/051464    N° de la demande internationale :    PCT/JP2015/077018
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 25.09.2015
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP)
Inventeurs : FUJII Hidenori; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE Hidetoshi; (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)The art disclosed in the present description makes it possible to, by adjusting the level of conductivity modulation, suppress partial concentration of carriers when recovery operations are performed. This semiconductor device is provided with: a first conductivity-type semiconductor layer (101); first conductivity-type first impurity layers (10, 10a-10g), which are formed by partial diffusion in the rear surface of the semiconductor layer, and which have an impurity concentration that is higher than that of the semiconductor layer; and a plurality of second conductivity-type second impurity layers (12, 13) formed by partial diffusion in the front surface of the semiconductor layer. The first impurity layers are formed at, in plan view, positions between the second impurity layers, said positions not overlapping the second impurity layers, and between the second impurity layers in the front surface of the semiconductor layer, only the semiconductor layer is present.
(FR)La technique décrite dans la présente invention rend possible, par réglage du niveau de modulation de conductivité, de supprimer une concentration partielle de porteurs lorsque des opérations de récupération sont effectuées. Un dispositif à semi-conducteur selon l'invention comprend : une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité (101) ; des premières couches d'impuretés du premier type de conductivité (10, 10a-10g), qui sont formées par diffusion partielle dans la surface arrière de la couche semi-conductrice, et qui ont une concentration en impuretés qui est supérieure à celle de la couche semi-conductrice ; et une pluralité de secondes couches d'impuretés d'un second type de conductivité (12, 13) formées par diffusion partielle dans la surface avant de la couche semi-conductrice. Les premières couches d'impuretés sont formées, en vue plane, au niveau de positions comprises entre les secondes couches d'impuretés, lesdites positions ne chevauchant pas les secondes couches d'impuretés, et seule la couche semi-conductrice est présente entre les secondes couches d'impuretés dans la surface avant de la couche semi-conductrice.
(JA) 本明細書に開示される技術は、伝導度変調のレベルを調整することによって、リカバリー動作時にキャリアが部分的に集中することを抑制することができる。半導体装置は、第1導電型の半導体層(101)と、半導体層の裏面において部分的に拡散され、かつ、半導体層の不純物濃度よりも高い不純物濃度である第1導電型の第1不純物層(10、10aから10g)と、半導体層の表面において部分的に拡散される第2導電型の複数の第2不純物層(12、13)とを備え、第1不純物層は、平面視において、第2不純物層同士の間であって、第2不純物層と重ならない位置に形成され、半導体層の表面における第2不純物層同士の間には、半導体層のみが存在する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)