WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017049845) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/049845    N° de la demande internationale :    PCT/CN2016/073760
Date de publication : 30.03.2017 Date de dépôt international : 14.02.2016
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : BOE TECHNOLOGY GROUP CO., LTD. [CN/CN]; No.10 Jiuxianqiao Road, Chaoyang District Beijing 100015 (CN)
Inventeurs : SHU, Shi; (CN).
ZHANG, Bin; (CN).
XU, Chuanxiang; (CN).
QI, Yonglian; (CN)
Mandataire : CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.; 22/F, Great Eagle Centre 23 Harbour Road, Wanchai Hong Kong (CN)
Données relatives à la priorité :
201510609039.8 22.09.2015 CN
Titre (EN) THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, DISPLAY SUBSTRATE AND DISPLAY DEVICE
(FR) TRANSISTOR À COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, SUBSTRAT D'AFFICHAGE ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(ZH) 薄膜晶体管及其制作方法、显示基板和显示装置
Abrégé : front page image
(EN)A thin film transistor and a manufacturing method thereof, a display substrate, and a display device. The manufacturing method comprises: forming, in turn, a light shielding layer (1), an insulating layer (2) and a semiconductor layer (3); forming a pattern with the light shielding layer, the insulating layer and the semiconductor layer through a one-time patterning process. A mask is used to form a polysilicon layer as an active layer and an amorphous silicon layer as a light shielding layer. In comparison to the prior art, a mask process is cancelled and the manufacturing procedure of the thin film transistor is simplified.
(FR)La présente invention concerne un transistor à couche mince et un procédé de fabrication de celui-ci, un substrat d'affichage et un dispositif d'affichage. Le procédé de fabrication comprend les étapes consistant à : former, tour à tour, une couche de protection contre la lumière (1), une couche isolante (2) et une couche semi-conductrice (3) ; former un motif avec la couche de protection contre la lumière, la couche isolante et la couche semi-conductrice par le biais d'un processus de création de motif unique. Un masque est utilisé pour former une couche de polysilicium comme couche active et une couche de silicium amorphe comme couche de protection contre la lumière. Par rapport à l'art antérieur, un processus de masquage est annulé et la procédure de fabrication du transistor à couche mince est simplifiée.
(ZH)一种薄膜晶体管及其制作方法,以及显示基板和显示装置。制作方法包括:依次形成遮光层(1)、绝缘层(2)和半导体层(3);通过一次构图工艺形成遮光层、绝缘层和半导体层的图形。通过一个掩膜来形成多晶硅层作为有源层,以及形成非晶硅层作为遮光层,相对于已有技术减少一道掩膜工艺,简化了薄膜晶体管的制作流程。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)