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1. (WO2017048520) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTORÉSISTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/048520    N° de la demande internationale :    PCT/US2016/049876
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 01.09.2016
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.07.2017    
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01), H01L 27/22 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : LU, Yu; (US).
CHEN, Wei-Chuan; (US).
KANG, Seung Hyuk; (US)
Mandataire : OLDS, Mark E.; (US).
CICCOZZI, John L.; (US).
PODHAJNY, Daniel; (US)
Données relatives à la priorité :
14/859,278 19.09.2015 US
Titre (EN) MAGNETORESISTIVE RANDOM-ACCESS MEMORY AND FABRICATION METHOD THEREOF
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTORÉSISTIVE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)Provided are exemplary circuits including a magnetoresistive random- access memory (MRAM) and methods for fabricating the circuits. In an example, a circuit includes an MRAM. The circuit includes a bottom interconnect (206) in a bottom interconnect level (204). The bottom interconnect (206) is configured to route a signal outside of a magnetic tunnel junction (MTJ) stack (212). The circuit includes the MTJ stack (212) formed on a bottom electrode (208) at least partially embedded in the bottom interconnect level (204). Optionally, the circuit also includes an encapsulation layer (222) encapsulating at least a portion of the MTJ stack (212). The encapsulation layer (222) is also an electromigration cap for a second bottom interconnect (224) in the bottom interconnect level (204). The second bottom interconnect (224) is a not part of the MTJ stack (212). Optionally, the bottom electrode (208) is self-aligned with the bottom interconnect (206).
(FR)L'invention concerne des exemples de circuits comprenant une mémoire vive magnétorésistive (MRAM) et des procédés de fabrication des circuits. Dans un exemple, un circuit comprend une MRAM. Le circuit comprend une interconnexion inférieure (206) dans un niveau d'interconnexion inférieure (204). L'interconnexion inférieure (206) est configurée pour acheminer un signal à l'extérieur d'un empilement formant jonction tunnel magnétique (MTJ) (212). Le circuit comprend l'empilement MTJ (212) formé sur une électrode inférieure (208) au moins partiellement noyée dans le niveau d'interconnexion inférieur (204). Éventuellement, le circuit comprend également une couche d'encapsulation (222) encapsulant au moins une partie de l'empilement MTJ (212). La couche d'encapsulation (222) est également un capuchon d'électromigration pour une deuxième interconnexion inférieure (224) dans le niveau d'interconnexion inférieur (204). La deuxième interconnexion inférieure (224) ne fait pas partie de l'empilement MTJ (212). Éventuellement, l'électrode inférieure (208) est auto-alignée avec l'interconnexion inférieure (206).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)