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1. (WO2017047798) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM À PURETÉ AMÉLIORÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/047798    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/077566
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 16.09.2016
CIB :
C01B 33/039 (2006.01)
Déposants : KYOTO UNIVERSITY [JP/JP]; 36-1, Yoshida-honmachi, Sakyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6068501 (JP)
Inventeurs : YASUDA, Kouji; (JP).
NOHIRA, Toshiyuki; (JP)
Mandataire : SAMEJIMA, Mutsumi; (JP).
GONJOU, Keiichi; (JP).
FUKUMASA, Mitsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-184164 17.09.2015 JP
2015-184165 17.09.2015 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON WITH IMPROVED PURITY
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SILICIUM À PURETÉ AMÉLIORÉE
(JA) 純度が向上したシリコンの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an easier and simpler method for producing silicon with improved purity. This method for producing silicon with improved purity includes (1) heating and melting salt, metal, and silicon to obtain a molten salt upper layer and a liquid alloy lower layer, and (2) cooling the liquid alloy to deposit silicon. Silicon with improved purity and in which, for example, impurities deriving from phosphor and metal are reduced can be produced easily and simply without requiring special devices, facilities, etc.
(FR)L'invention concerne un procédé plus facile et plus simple de production de silicium à pureté améliorée. Ce procédé de production de silicium à pureté améliorée consiste (1) à chauffer et à faire fondre un sel, un métal et du silicium afin d'obtenir une couche supérieure de sel fondu et une couche inférieure d'alliage liquide, et (2) à refroidir l'alliage liquide pour déposer le silicium. Du silicium, à pureté améliorée et dans lequel, par exemple, des impuretés dérivées de phosphore et de métal sont réduites, peut être produit facilement et simplement, sans nécessiter d'installations, de dispositifs, etc. spéciaux.
(JA)より容易かつより簡便に、純度が向上したシリコンを製造する方法を提供する。(1)塩、金属及びシリコンを加熱して溶融して、溶融塩の上層と液体合金の下層をえること;及び(2)液体合金を冷却して、シリコンを析出させることを含む、純度が向上したシリコンの製造方法である。特別な装置及び設備等を必要とせず、容易かつ簡便に、例えば、リン及び金属に由来する不純物が減少し、純度が向上したシリコンを製造することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)