WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2017047625) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT DE STOCKAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/047625    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/077075
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 14.09.2016
CIB :
H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325 (JP)
Inventeurs : NANBA Hiromitsu; (JP).
UEKI Tatsuhiro; (JP)
Mandataire : NAGAI Hiroshi; (JP).
NAKAMURA Yukitaka; (JP).
SATO Yasukazu; (JP).
ASAKURA Satoru; (JP).
MORI Hideyuki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-183253 16.09.2015 JP
Titre (EN) SUBSTRATE PROCESSING METHOD, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)A substrate processing method is provided with a first processing step for supplying a first processing liquid that contains hydrofluoric acid and nitric acid in a first mixing ratio to a peripheral edge part of a rotating substrate and etching a film to be eliminated, and a second processing step for supplying a second processing liquid that contains hydrofluoric acid and nitric acid in a second mixing ratio, wherein the hydrofluoric acid content is lower and the nitric acid content is higher than the first processing liquid, to the peripheral edge part of the rotating substrate after the first processing liquid has been supplied to the substrate and etching the film to be eliminated. Thus, when a film to be eliminated formed from SiGe, amorphous silicon, or polysilicon is eliminated by wet etching from the peripheral edge part of the substrate, a foundation film, for example a film formed from SiO2, present beneath the film to be eliminated can be appropriately left behind.
(FR)L'invention concerne un procédé de traitement de substrat qui comprend une première étape de traitement consistant à amener un premier liquide de traitement, qui contient de l'acide fluorhydrique et de l'acide nitrique dans un premier rapport de mélange, à une partie de bord périphérique d'un substrat en rotation et à graver un film à éliminer, et une seconde étape de traitement consistant à fournir un second liquide de traitement, qui contient de l'acide fluorhydrique et de l'acide nitrique dans un second rapport de mélange, dans lequel la teneur en acide fluorhydrique est plus petite et la teneur en acide nitrique est plus grande que dans le premier liquide de traitement, à la partie de bord périphérique du substrat en rotation après que le premier liquide de traitement a été fourni au substrat, et à graver le film à éliminer. Ainsi, lorsqu'un film à éliminer, formé à partir de SiGe, de silicium amorphe ou de polysilicium, est éliminé par gravure humide à partir de la partie de bord périphérique du substrat, un film de base, par exemple un film formé à partir de SiO2, présent au-dessous du film à éliminer, peut être laissé d'une manière appropriée.
(JA)基板処理方法は、回転している前記基板の周縁部分に、第1混合比でフッ酸及び硝酸を含有する第1処理液を供給して前記除去対象膜をエッチングする第1処理工程と、前記基板に前記第1処理液を供給した後に、回転している前記基板の周縁部分に第1処理液よりもフッ酸の含有比が低く硝酸の含有比が高い第2混合比でフッ酸及び硝酸を含有する第2処理液を供給して前記除去対象膜をエッチングする第2処理工程と、を備える。基板の周縁部分からSiGe,アモルファスシリコンまたはポリシリコンからなる除去対象膜をウエットエッチングにより除去するにあたって、除去対象膜の下に存在する下地膜、例えばSiOからなる膜を適切に残すことが可能となる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)