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1. (WO2017047490) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE DÉPHASAGE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/047490    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/076402
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 08.09.2016
CIB :
G03F 1/32 (2012.01), G03F 1/58 (2012.01)
Déposants : HOYA CORPORATION [JP/JP]; 6-10-1 Nishi-Shinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo 1608347 (JP)
Inventeurs : MATSUMOTO, Atsushi; (JP).
SHISHIDO, Hiroaki; (JP).
UCHIDA, Takashi; (JP)
Mandataire : IKEDA, Noriyasu; (JP).
SASAKI, Takashi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-185779 18.09.2015 JP
Titre (EN) MASK BLANK, PHASE SHIFT MASK AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) ÉBAUCHE DE MASQUE, MASQUE DE DÉPHASAGE ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) マスクブランク、位相シフトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A mask blank 10 according to the present invention comprises: a light-blocking film 4 which has a single layer structure or a multilayer structure composed of a plurality of layers, and wherein at least one layer of the light-blocking film 4 is formed of a material that contains a transition metal and silicon but does not contain nitrogen and oxygen, or a material that contains a transition metal, silicon and nitrogen and satisfies the condition of formula (1); and a phase shift film 2 which is composed of a surface layer and a layer other than the surface layer, and wherein the layer other than the surface layer is formed of a material that contains a transition metal, silicon, nitrogen and oxygen, with the oxygen content being 3 at% or more, and satisfies the condition of formula (A). CN ≤ 9.0 × 10-6 × RM4 - 1.65 × 10-4 × RM3 - 7.718 × 10-2 × RM2 + 3.611 × RM - 21.084 formula (1) 0.04 × AS - 0.06 × AM > 1 formula (A)
(FR)La présente invention concerne une ébauche de masque 10 comportant: un film de blocage de lumière 4 qui présente une structure monocouche ou une structure multicouche constituée d'une pluralité de couches, au moins une couche du film de blocage de lumière 4 étant formée d'un matériau qui contient un métal de transition et du silicium mais ne contient pas d'azote et d'oxygène, ou d'un matériau qui contient un métal de transition, du silicium et de l'azote et satisfait à la condition de la formule (1); et un film de déphasage 2 qui est constitué d'une couche superficielle et d'une couche autre que la couche superficielle, la couche autre que la couche superficielle étant formée d'un matériau qui contient un métal de transition, du silicium, de l'azote et de l'oxygène, la teneur en oxygène étant égale ou supérieure à 3 at %, et satisfaisant la condition de formule (A). CN ≤ 9,0 × 10-6 × RM 4 - 1,65 × 10-4 × RM 3 - 7,718 × 10-2 × RM 2 + 3.611 × RM - 21.084 formule (1, 0.04 × AS - 0,06 × AM > 1 formule (A)
(JA)本発明によるマスクブランク10は、遮光膜4が、単層構造または複数層の積層構造を有し、前記遮光膜4の少なくとも1つの層は、遷移金属およびケイ素を含有しかつ窒素および酸素を含有しない材料、または、遷移金属、ケイ素および窒素を含有し、かつ以下の式(1)の条件を満たす材料のいずれかによって形成され、位相シフト膜2が、表層と表層以外の層とからなり、前記表層以外の層は、遷移金属、ケイ素、窒素および酸素を含有し、酸素の含有量が3原子%以上であり、かつ以下の式(A)の条件を満たす材料で形成されている。 C≦9.0×10-6×R-1.65×10-4×R-7.718×10-2×R+3.611×R-21.084・・・式(1) 0.04×A-0.06×A>1・・・式(A)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)