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1. (WO2017047318) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/047318    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/074093
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 18.08.2016
CIB :
H01L 31/0747 (2012.01)
Déposants : SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522 (JP)
Inventeurs : MORI, Takeshi; (--).
MATSUMOTO, Yuta; (--).
ZENITANI, Yoshitaka; (--)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-182713 16.09.2015 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION CORRESPONDANT
(JA) 光電変換素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A photoelectric conversion element (1) is provided with a liquid repellent layer (16) that is provided between an end portion of a first amorphous semiconductor layer (13) and an end portion of a second amorphous semiconductor layer (15). Excluding between the end portion of the first amorphous semiconductor layer (13) and the end portion of the second amorphous semiconductor layer (15), the liquid repellent layer (16) is not provided between the first amorphous semiconductor layer (13) and the second amorphous semiconductor layer (15). Consequently, the photoelectric conversion element (1) wherein the semiconductor layer (13) is accurately patterned can be provided.
(FR)L'invention porte sur un élément de conversion photoélectrique (1) qui est pourvu d'une couche repoussant les liquides (16) qui est disposée entre une partie d'extrémité d'une première couche semi-conductrice amorphe (13) et une partie d'extrémité d'une deuxième couche semi-conductrice amorphe (15). À l'exception d'entre la partie d'extrémité de la première couche semi-conductrice amorphe (13) et la partie d'extrémité de la deuxième couche semi-conductrice amorphe (15), la couche repoussant les liquides (16) n'est pas présente entre la première couche semi-conductrice amorphe (13) et la deuxième couche semi-conductrice amorphe (15). Par conséquent, un élément de conversion photoélectrique (1) dans lequel la couche semi-conductrice (13) est modelée avec précision peut être obtenu.
(JA)光電変換素子(1)は、第1の非晶質半導体層(13)の縁部と第2の非晶質半導体層(15)の縁部との間に設けられる撥液層(16)を備える。撥液層(16)は、第1の非晶質半導体層(13)の縁部と第2の非晶質半導体層(15)の縁部との間を除く第1の非晶質半導体層(13)と第2の非晶質半導体層(15)との間に設けられない。そのため、半導体層(13)が精度よくパターニングされた光電変換素子(1)が提供され得る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)