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1. (WO2017047057) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR FORMER UN FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2017/047057    N° de la demande internationale :    PCT/JP2016/004122
Date de publication : 23.03.2017 Date de dépôt international : 09.09.2016
CIB :
H01L 29/66 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : RICOH COMPANY, LTD. [JP/JP]; 3-6, Nakamagome 1-chome, Ohta-ku, Tokyo 1438555 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
UEDA, Naoyuki [JP/JP]; (JP) (US only).
NAKAMURA, Yuki [JP/JP]; (JP) (US only).
ABE, Yukiko [JP/JP]; (JP) (US only).
MATSUMOTO, Shinji [JP/JP]; (JP) (US only).
SONE, Yuji [JP/JP]; (JP) (US only).
SAOTOME, Ryoichi [JP/JP]; (JP) (US only).
ARAE, Sadanori [JP/JP]; (JP) (US only).
KUSAYANAGI, Minehide [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : UEDA, Naoyuki; (JP).
NAKAMURA, Yuki; (JP).
ABE, Yukiko; (JP).
MATSUMOTO, Shinji; (JP).
SONE, Yuji; (JP).
SAOTOME, Ryoichi; (JP).
ARAE, Sadanori; (JP).
KUSAYANAGI, Minehide; (JP)
Mandataire : HIROTA, Koichi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2015-181732 15.09.2015 JP
2016-144854 22.07.2016 JP
Titre (EN) COATING LIQUID FOR FORMING N-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, METHOD FOR PRODUCING N-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND METHOD FOR PRODUCING FIELD-EFFECT TRANSISTOR
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR FORMER UN FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE FILM D'OXYDE SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
Abrégé : front page image
(EN)A coating liquid for forming an n-type oxide semiconductor film, the coating liquid including: a Group A element, which is at least one selected from the group consisting of Sc, Y, Ln, B, Al, and Ga; a Group B element, which is at least one of In and Tl; a Group C element, which is at least one selected from the group consisting of Group 4 elements, Group 5 elements, Group 6 elements, Group 7 elements, Group 8 elements, Group 9 elements, Group 10 elements, Group 14 elements, Group 15 elements, and Group 16 elements; and a solvent.
(FR)L'invention concerne un liquide de revêtement pour la formation d'un film d'oxyde semi-conducteur de type n, le liquide de revêtement comprenant : un élément du groupe A, qui est au moins un élément choisi dans le groupe constitué par Sc, Y, Ln, B, Al et Ga ; un élément du groupe B, qui est au moins un parmi In et Tl ; un élément du groupe C, qui est au moins un élément choisi dans le groupe constitué par des éléments du groupe 4, des éléments du groupe 5, des éléments du groupe 6, des éléments du groupe 7, des éléments du groupe 8, des éléments du groupe 9, des éléments du groupe 10, des éléments du groupe 14, des éléments du groupe 15, et des éléments du groupe 16 ; et un solvant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)